La oblea de fosfuro de indio (InP) es un semiconductor compuesto III-V de alta movilidad, de banda prohibida directa (1,34eV). Optimizado para RF de alta frecuencia (hasta THz), comunicaciones ópticas de 1,3–1,55μm y circuitos integrados fotónicos (PICs) de bajo ruido. Cuenta con acabados de superficie de baja EPD y preparados para epi.

El arseniuro de Galio (GaAs) combina una banda prohibida directa con una alta movilidad electrónica, lo que lo convierte en un material sustrato ampliamente utilizado para dispositivos de alta frecuencia y optoelectrónicos. Las obleas GaAs de PWG soportan MMICs, HEMTs, HBTs, VCSELs, diodos láser y celdas solares de alta eficiencia, disponibles en múltiples diámetros, orientaciones cristalinas y acabados superficiales preparados para Epi.

Power Wafertech Group suministra obleas de sustrato de arseniuro de indio (InAs) para detección infrarroja, electrónica de alta movilidad e investigación avanzada en semiconductores III-V. Las opciones disponibles incluyen InAs tipo N y tipo P, con diámetros seleccionados de obleas, orientaciones cristalinas y acabados superficiales para la fabricación de dispositivos y el crecimiento epitaxial.

Con una constante de red de aproximadamente 6,096 Å, GaSb (antimoniuro de galio) proporciona una excelente compatibilidad de red con materiales basados en antimoniuros como InAs, AlSb e InAsSb, lo que lo convierte en una plataforma de sustrato importante para detectores infrarrojos de superrrealidad tipo II (T2SL), láseres de infrarrojo medio y dispositivos optoelectrónicos avanzados. Las obleas GaSb están disponibles en múltiples diámetros, orientaciones cristalinas y acabados superficiales para crecimiento epitaxial y fabricación de dispositivos.

Con una banda de banda directa ultraestrecha de aproximadamente 0,17 eV a 300 K y una movilidad electrónica excepcionalmente alta, InSb es especialmente adecuado para la detección infrarroja de longitud de onda media (MWIR) en el rango de 3–5 μm. PWG suministra obleas de antimonuro de indio tipo N y tipo P (InSb) para detección infrarroja de alta sensibilidad, detección magnética y electrónica criogénica.

Los sustratos independientes (FS) de GaN son obleas nativas a granel que eliminan sustratos extraños (zafiro/silicio). Con densidad de dislocaciones ultra baja y alta calidad cristalina, proporcionando la plataforma definitiva para diodos láser de alto rendimiento, micro-LEDs y dispositivos RF.