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Obleas compuestas III-V
La oblea de fosfuro de indio (InP) es un semiconductor compuesto III-V de alta movilidad, de banda prohibida directa (1,34eV). Optimizado para RF de alta frecuencia (hasta THz), comunicaciones ópticas de 1,3–1,55μm y circuitos integrados fotónicos (PICs) de bajo ruido. Cuenta con acabados de superficie de baja EPD y preparados para epi.
Obleas compuestas III-V
El arseniuro de Galio (GaAs) combina una banda prohibida directa con una alta movilidad electrónica, lo que lo convierte en un material sustrato ampliamente utilizado para dispositivos de alta frecuencia y optoelectrónicos. Las obleas GaAs de PWG soportan MMICs, HEMTs, HBTs, VCSELs, diodos láser y celdas solares de alta eficiencia, disponibles en múltiples diámetros, orientaciones cristalinas y acabados superficiales preparados para Epi.
Obleas compuestas III-V
Power Wafertech Group suministra obleas de sustrato de arseniuro de indio (InAs) para detección infrarroja, electrónica de alta movilidad e investigación avanzada en semiconductores III-V. Las opciones disponibles incluyen InAs tipo N y tipo P, con diámetros seleccionados de obleas, orientaciones cristalinas y acabados superficiales para la fabricación de dispositivos y el crecimiento epitaxial.
Obleas compuestas III-V
GaSb (antimonuro de galio) es el sustrato preferido para la epitaxia basada en antimoniuros. Con una constante de red de 6,096 Å para una excelente compatibilidad InAs/AlSb, se utiliza ampliamente para detectores IR superrrealidad Tipo II (T2SL) y láseres de infrarrojo medio. Disponible en tamaños de 2", 3" y 4" con acabados superficiales Epi-ready.
Obleas compuestas III-V
La oblea InSb (antimoniuro de indio) está disponible para detectores infrarrojos MWIR y dispositivos magnetoresistivos. Existen opciones tipo N y tipo P con superficies preparadas para epinefrino para soportar requisitos específicos de fabricación de dispositivos y crecimiento epitaxial.
Obleas Epitaxiales Semiconductoras III-V
Heteroestructuras de precisión crecidas por MOCVD/MBE en sustratos InP, GaSb y GaAs. Diseñado para HEMTs, pHEMT, HBTs, diodos láser, VCSEL y detectores IR de alto rendimiento (HEMT), pHEMT, HBT, Soporte para estructuras de epinefrina personalizadas desde I&D hasta producción en volumen.
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TRES FAMILIAS DE MATERIALES PRINCIPALES
Explora sustratos y obleas de epi por familia de materiales. Configuraciones estándar y especificaciones personalizadas disponibles para I&D y producción en volumen.
MATERIALES DISEÑADOS
MATERIALES DE FUNDACIÓN
ESPECÍFICO DE CADA PROGRAMA
APLICACIONES & INDUSTRIAS
CASO 01 / SISTEMAS DE ALTA TENSIÓN
Soluciones de obleas de banda larga diseñadas para arquitecturas de 800V+. Garantizar una conversión de potencia de alta eficiencia, conmutación rápida y un funcionamiento fiable a altas temperaturas.
ENFOQUE DE LA APLICACIÓN
Trenes motrices eléctricos · Carga rápida · Accionamientos de motores industriales
PRODUCTOS RECOMENDADOS
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