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InP HEMT Epitaxial Wafers: Low Noise & Custom Growth

Obleas epitaxiales InP HEMT: bajo ruido y crecimiento personalizado

El grosor de la capa espaciadora afecta fuertemente al ruido criogénico en los HEMT InP, con un equilibrio optimizado de valores entre movilidad, control de puertas y transferencia en espacio real. El dopaje y la estabilidad de la capa de capa también deben diseñarse conjuntamente con los procesos de metalización y despegue para mantener baja la resistencia de contacto.

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