Obleas SiC
Sustrato SiC
Obleas de sustrato SiC premium para dispositivos de potencia, RF y optoelectrónicos. Disponible en politipos 4H, 6H y 3C con opciones tipo N, tipo P y semiaislantes. Ofrecido en tamaños de 2"–12" con acabados Epi-ready para fabricación avanzada de semiconductores.