Obleas SiC

Sustrato SiC

Obleas de sustrato SiC premium para dispositivos de potencia, RF y optoelectrónicos. Disponible en politipos 4H, 6H y 3C con opciones tipo N, tipo P y semiaislantes. Ofrecido en tamaños de 2"–12" con acabados Epi-ready para fabricación avanzada de semiconductores.

Politipos — 4H-SiC · 6H-SiC · 3C-SiC
Conductividad — Tipo N · P-tipo · Semiaislante
Opciones de dopaje — N-dopado · Al-doped · V-dopado
Tamaños — 2″ · 3″ · 4″ · 6″· 8″· 12″
Superficie — SSP · DSP · Epi-ready
Embalaje — Casete de una sola oblea, sellado al vacío

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Especificaciones detalladas

Especificaciones por tipo de oblea.

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Parámetro	Sustrato 4H-SiC de 8"/200 mm
Polítipo	4H
Diámetro	200±0,2 mm
Grosor	350±25μm, 500±25μm
Orientación	4° hacia (11-20) ±0,5°
Tipo de conducción	Tipo N
Dopante	Nitrógeno (N)
Resistividad	0,015~0,03Ω·cm
MPD	≤2ea/cm² (grado A); ≤10ea/cm² (grado B); ≤50ea/cm² (grado C)
TTV	≤10μm (grado A); ≤15μm (grado B); ≤20μm (grado C)
Arco	-25~25μm (grado A); -45~45μm (grado B); -65~65μm (grado C)
Warp	≤35μm (grado A); ≤50μm (grado B); ≤70μm (grado C)
Rugosidad superficial	Si-face CMP Ra ≤0,2 nm; Pulido óptico C-face
Acabado superficial	SSP / DSP, listo para epinefrina
Embalaje	Casete de una o varias obleas, sellado al vacío

Parámetro	Sustrato 4H-SiC de 6"/150 mm
Polítipo	4H	4H	4H
Diámetro	150 ± 0,5 mm	145,5 ~ 150 mm	145,5 ~ 150 mm
Grosor	350±25μm, 500±25μm	350 ± 25μm	350 ± 25μm
Orientación	4° hacia (11-20) ±0,5°	4° hacia (11-20) ±0,5°	2~4° hacia (11-20) ±0,5°
Tipo de conducción	Tipo N	Semiaislante	Tipo P
Dopante	Nitrógeno (N)	Vanadio (V)	Aluminio (Al)
Resistividad	0,015 – 0,028Ω·cm	≥1×10⁸Ω·cm	≤0,3Ω·cm
MPD	≤0,5 cm⁻²	≤1cm⁻²
TTV		≤5μm	≤5μm
Arco		–25~25μm	≤15μm
Warp		≤35μm	≤30μm
Rugosidad superficial	Si-face CMP Ra ≤0,2 nm; Pulido óptico C-face
Acabado superficial	SSP / DSP, lista para epinefrina
Embalaje	Casete de una o varias obleas, sellado al vacío

Parámetro	Sustrato SiC de 4"/100mm
Polítipo	4H	4H	4H	3C (cúbico)
Grosor	330 – 650μm	350 – 500μm	250 – 430μm	350±25μm
Orientación	4° hacia (11-20) ±0,5°	4° hacia (11-20) ±0,5°	2~4° hacia (11-20) ±0,5°	En el eje (111) ±0,5°
Tipo de conducción	Tipo N	Semiaislante	Tipo P	Tipo N
Dopante	Nitrógeno (N)	Vanadio (V)	Aluminio (Al)	Nitrógeno (N)
Resistividad	0,015–0,028Ω·cm	> 1×10⁸Ω·cm	≤0,3Ω·cm	≤ 1mΩ·cm
MPD (Grado A)	≤ 0,5 cm⁻²	≤ 1cm⁻²	≤ 0,1 cm⁻²	≤ 0,1 cm⁻²
TTV			≤5μm	≤5μm
Arco			≤15μm	≤15μm
Warp			≤30μm	≤30μm
Rugosidad superficial	Si-face CMP Ra ≤0,2 nm; Pulido óptico C-face
Acabado superficial	SSP / DSP, lista para epinefrina
Embalaje	Casete de una o varias obleas, sellado al vacío

Aplicaciones

Donde esta oblea aporta valor

Electrónica de potencia

Los sustratos SiC proporcionan un alto voltaje de ruptura y bajas pérdidas de conmutación, permitiendo dispositivos de alta eficiencia. Dispositivos típicos: MOSFETs SiC, Diodos Barrera Schottky (SBDs) e IGBTs. Aplicaciones: trenes motrices de vehículos eléctricos, carga rápida, redes inteligentes, accionamientos de motores industriales.

RF y dispositivos de microondas

El 4H-SiC semiaislante es la plataforma preferida para los HEMT GaN-on-SiC. Su excelente conductividad térmica garantiza un rendimiento en alta frecuencia. Aplicaciones: estaciones base 5G/6G, sistemas de radar, comunicaciones por satélite.

Aplicaciones emergentes de AR/MR

Alto índice de refracción y excelentes propiedades ópticas. Ideal para circuitos integrados fotónicos (PICs) y guías de onda ópticas, permitiendo pantallas AR/MR compactas y de alta eficiencia.

Electrónica de Entornos Extremos

Resistencia a altas temperaturas y dureza por radiación (rad-duro). Diseñado para entornos hostiles: sistemas aeroespaciales, sensores de perforación de pozos profundos, instrumentación nuclear y electrónica crítica de defensa.

Preguntas frecuentes

Preguntas frecuentes sobre este producto

Respuestas rápidas sobre selección de materiales, personalización, pruebas y pedidos.

¿Qué tipos de obleas de sustrato SiC ofrece PWG?

PWG proporciona sustratos SiC de alta calidad en politipos 4H, 6H y 3C. Ofrecemos obleas tipo N (dopado con N), tipo P (dopado en Al) y semiaislantes (dopado en V) con acabados superficiales preparados para epinefrino para satisfacer los requisitos específicos de tu dispositivo.

¿Cuál es la diferencia entre las obleas SiC tipo N, tipo P y semiaislantes?

SiC tipo N: Típicamente dopado con nitrógeno, ampliamente utilizado para dispositivos de potencia SiC y crecimiento epitaxial. SiC tipo P: Típicamente dopado con aluminio, adecuado para uniones PN, dispositivos bipolares y estructuras especializadas de dispositivos. SiC semiaislante: Típicamente dopado con vanadio, diseñado para aplicaciones de alta frecuencia, especialmente como sustrato para la epitaxia GaN HEMT.

¿Qué nivel de MPD pueden alcanzar tus sustratos de SiC?

Nuestros sustratos de SiC están disponibles con diferentes grados de densidad de microtubos (MPD) según el tamaño de la oblea. Para sustratos seleccionados de 4H-SiC, el MPD puede ser tan bajo como ≤0,1 cm⁻², mientras que los productos de 6" y 8" están disponibles con especificaciones adaptadas a tu grado y aplicación.

¿Ofrecéis servicios de procesamiento de obleas SiC?

Sí. Más allá de los sustratos desnudos, apoyamos el procesamiento de valor añadido que incluye el picado, el rectificado, el diluido, el pulido CMP, la metalización trasera, la unión cristalina y la implantación iónica según los requisitos del proyecto.

Investigación técnica

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