Obleas SiC

Sustrato SiC

Obleas de sustrato SiC para aplicaciones de potencia, RF, optoelectrónicas y semiconductores avanzados. Disponible en 4H-SiC, 6H-SiC y 3C-SiC, con opciones tipo N, tipo P y semiaislantes, múltiples tamaños de obleas, niveles de dopaje y acabados superficiales.

Politipos — 4H-SiC · 6H-SiC · 3C-SiC
Conductividad — Tipo N · P-tipo · Semiaislante
Opciones de dopaje — N-dopado · Al-doped · V-dopado
Tamaños — 2″ · 3″ · 4″ · 6″· 8″· 12″
Superficie — SSP · DSP · Epi-ready
Embalaje — Casete de una sola oblea, sellado al vacío

Comparte este producto:

Especificaciones detalladas

Especificaciones publicadas por diámetro de la oblea.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

Parámetro	Sustrato 4H-SiC de 8"/200 mm
Polítipo	4H
Diámetro	200±0,2 mm
Grosor	350±25μm, 500±25μm
Orientación	4° hacia (11-20) ±0,5°
Tipo de conducción	Tipo N
Dopante	Nitrógeno (N)
Resistividad	0,015~0,03Ω·cm
MPD	≤2ea/cm² (grado A); ≤10ea/cm² (grado B); ≤50ea/cm² (grado C)
TTV	≤10μm (grado A); ≤15μm (grado B); ≤20μm (grado C)
Arco	-25~25μm (grado A); -45~45μm (grado B); -65~65μm (grado C)
Warp	≤35μm (grado A); ≤50μm (grado B); ≤70μm (grado C)
Rugosidad superficial	Pulidor óptico Si-face CMP Ra ≤0,2nm C-face
Acabado superficial	SSP / DSP, listo para epinefrina
Embalaje	Casete de una o varias obleas, sellado al vacío

Parámetro	Sustrato 4H-SiC de 6"/150 mm
Polítipo	4H
Diámetro	150 ± 0,5 mm
Grosor	350±25μm, 500±25μm
Orientación	4° hacia (11-20) ±0,5°
Tipo de conducción	Tipo N
Dopante	Nitrógeno (N)
Resistividad	0,015 – 0,028Ω·cm
MPD	≤0,5 cm⁻²
TTV
Arco
Warp
Rugosidad superficial	Pulidor óptico Si-face CMP Ra ≤0,2nm C-face
Acabado superficial	SSP / DSP, listo para epinefrina
Embalaje	Casete de una o varias obleas, sellado al vacío

Parámetro	Sustrato SiC de 4"/100mm
Polítipo	4H
Grosor	330 – 650μm
Orientación	4° hacia (11-20) ±0,5°
Tipo de conducción	Tipo N
Dopante	Nitrógeno (N)
Resistividad	0,015–0,028Ω·cm
MPD (Grado A)	≤ 0,5 cm⁻²
TTV
Arco
Warp
Rugosidad superficial	Pulidor óptico Si-face CMP Ra ≤0,2nm C-face
Acabado superficial	SSP / DSP, listo para epinefrina
Embalaje	Casete de una o varias obleas, sellado al vacío

Aplicaciones

Donde esta oblea aporta valor

Electrónica de potencia

Los sustratos SiC sirven como la plataforma ideal para el crecimiento epitaxial, permitiendo la fabricación de diodos Schottky (SBD), MOSFETs e IGBT de alto rendimiento. Estos dispositivos están ampliamente adoptados en vehículos de nueva energía, transporte ferroviario, redes inteligentes y accionamientos de motores industriales, ofreciendo una eficiencia y fiabilidad superiores.

RF y dispositivos de microondas

Las obleas semiaislantes 4H-SiC son el sustrato preferido para los transistores de alta movilidad electrónica de GaN (HEMT), proporcionando un excelente rendimiento en alta frecuencia para estaciones base 5G, sistemas de radar y comunicaciones por satélite.

Aplicaciones emergentes de AR/MR

Con su alto índice de refracción y excelentes propiedades ópticas, el SiC está emergiendo como un material prometedor para circuitos integrados fotónicos y guías de onda ópticas. Esto convierte a las obleas 4H-SiC en un sustrato ideal para gafas AR de próxima generación y pantallas de realidad mixta, permitiendo sistemas ópticos compactos y de alta eficiencia basados en guías de onda.

Electrónica de Entornos Extremos

Gracias a su alta resistencia a temperaturas y dureza a la radiación, los dispositivos basados en SiC son ideales para aplicaciones en entornos hostiles, incluyendo sistemas aeroespaciales, sensores de perforación en pozos profundos y otros sistemas electrónicos críticos.

Preguntas frecuentes

Preguntas frecuentes sobre este producto

Respuestas rápidas sobre selección de materiales, personalización, pruebas y pedidos.

¿Qué tipos de obleas de sustrato SiC ofrece PWG?

Power Wafertech Group suministra obleas de sustrato 4H-SiC, 6H-SiC y 3C-SiC. Dependiendo de la aplicación, ofrecemos sustratos SiC tipo N, tipo P y semiaislantes con diferentes niveles de dopaje y propiedades eléctricas.

¿Cuál es la diferencia entre las obleas SiC tipo N, tipo P y semiaislantes?

SiC tipo N: Normalmente dopado con nitrógeno y ampliamente utilizado para sustratos de dispositivos de potencia y crecimiento epitaxial. SiC tipo P: Típicamente dopado con aluminio y adecuado para uniones PN, dispositivos bipolares y estructuras especializadas de dispositivos. SiC semiaislante: Típicamente dopado con vanadio y diseñado para aplicaciones de alta frecuencia, especialmente como sustrato para la epitaxia GaN HEMT.

¿Qué nivel de MPD pueden alcanzar tus sustratos de SiC?

Nuestros sustratos de SiC están disponibles con diferentes especificaciones de densidad de microtubos (MPD) según el tamaño y la calidad de la oblea. Para sustratos seleccionados de 4H-SiC, el MPD puede alcanzar tan ≤0,1 cm⁻², mientras que los productos de 6" y 8" están disponibles con especificaciones adaptadas a la calidad y aplicación.

¿Ofrecéis servicios de procesamiento de obleas SiC?

Sí. Además de los sustratos desnudos, podemos apoyar el picado, el rectificado, el diluido, el pulido CMP, el procesamiento/metalización posterior, la unión cristalina e implantación iónica según los requisitos del proyecto.

Investigación técnica

Habla con los ingenieros sobre tus necesidades de obleas

Comparte tu material, dimensiones, especificaciones, fase de aplicación o proyecto. Nuestro equipo revisará tus necesidades y responderá en un plazo de un día laborable.