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Sustrato de silicio

Power Wafertech Group suministra obleas de silicio monocristalino para fabricación de dispositivos semiconductores, MEMS, crecimiento epitaxial y aplicaciones de investigación. Se pueden suministrar tanto obleas de silicio de calidad prima como de prueba de prueba.

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Oblea epitaxial de silicio

Power Wafertech Group suministra obleas epitaxiales de silicio (obleas de Si epi) cultivadas mediante epitaxia CVD avanzada. Las capas epitaxiales de silicio controladas con precisión se depositan sobre sustratos conductores para lograr el grosor, perfil de dopaje y resistividad requeridos para la fabricación de dispositivos semiconductores.

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Oblea de dióxido de silicio

Power Wafertech Group suministra obleas de dióxido de silicio (SiO₂ sobre Si) fabricadas mediante oxidación térmica controlada de sustratos de silicio. Existen tanto la oxidación térmica seca como la oxidación térmica húmeda para diferentes grosores de óxido y requisitos de proceso. Nuestras obleas SiO₂ presentan un grosor controlado de óxido, buena uniformidad a nivel de oblea y superficies listas para epi-/proceso.

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Obleas Epitaxiales Semiconductoras III-V

Oblea Epitaxial Semiconductora III-V

PWG ofrece soluciones epitaxiales basadas en sustratos InP, GaSb y GaAs, cubriendo heteroestructuras para HEMTs, pHEMTs, HBTs, diodos láser, fotodetectores, VCSELs, detectores infrarrojos y otros dispositivos III-V.

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Obleas compuestas III-V

Oblea InSb

Con una banda de banda directa ultraestrecha de aproximadamente 0,17 eV a 300 K y una movilidad electrónica excepcionalmente alta, InSb es especialmente adecuado para la detección infrarroja de longitud de onda media (MWIR) en el rango de 3–5 μm. PWG suministra obleas de antimonuro de indio tipo N y tipo P (InSb) para detección infrarroja de alta sensibilidad, detección magnética y electrónica criogénica.

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Obleas compuestas III-V

Oblea InP

El fosfuro de indio (InP) es un semiconductor compuesto III-V con una banda prohibida directa (1,34 eV a 300K) y una mayor movilidad electrónica que la GaAs. Ofrece un rendimiento superior en tres áreas clave: RF de alta frecuencia (hasta rango THz), optoelectrónica de longitud de onda larga (1,3–1,55μm) y circuitos integrados fotónicos de bajo ruido de fase.

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TRES FAMILIAS DE PRODUCTOS PRINCIPALES

Un portafolio claro para programas estándar y especializados.

Revisa configuraciones comunes, usos típicos y vías disponibles para obtener especificaciones adicionales.

MATERIALES DE FUNDACIÓN

Semiconductores de banda prohibida ancha

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CAPAS INGENIERIZADAS

Semiconductores compuestos III-V

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ESPECÍFICO DE CADA PROGRAMA

Materiales de silicio

Parámetros más allá de la lista estándar

Diámetro y grosor personalizados

Orientación y desmontaje

Dopaje y resistividad

Películas finas y pilas de capas

Perfil de superficie y aristas

Marcado y embalaje

01Requisitos para enviar

02Revisión de ingeniería

03Alineación de especificaciones

04Presupuesto y plazo de entrega

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INVESTIGACIÓN TÉCNICA

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