Una plataforma de plantillas AlN-on-Si muy versátil. La capa de AlN de alta calidad soporta una amplia gama de aplicaciones, incluyendo epitaxia de potencia/RF de GaN, MEMs piezoeléctricos (filtros saw/baw) y dispositivos fotónicos avanzados, permitiendo una integración fluida con procesos maduros de fabricación de silicio.

Las plantillas de AlN en zafiro presentan películas de AlN de alta calidad cristalina con baja densidad de defectos, excelente estabilidad térmica y fuertes propiedades piezoeléctricas. Son ideales para LEDs de UV profundo, dispositivos de potencia/RF, filtros SAW y fotónica integrada.

Obleas de silicio monocristalinas diseñadas para la fabricación de dispositivos semiconductores, MEMS y crecimiento epitaxial. Disponible en calidad de primera y prueba con excelente planitud, baja densidad de defectos y acabados superficiales personalizables para satisfacer exactamente tus requisitos de proceso.

Obleas de Si de alta calidad cultivadas por CVD, con grosor preciso, perfil de dopaje y control de resistividad. Diseñado con baja densidad de defectos y excelente uniformidad de espesor para CMOS avanzado, dispositivos de potencia discreta y fabricación de sensores.

Obleas de dióxido de silicio de alta calidad (obleas SiO2-on-Si) fabricadas mediante oxidación térmica precisa. Cuenta con una excelente uniformidad de grosor a nivel de oblea, baja densidad de defectos y superficies listas para procesos para aislamiento de semiconductores, óxidos de compuerta y fabricación MEMS.