Electrónica de Potencia GaN
Las plantillas de AlN en silicio pueden usarse como plataforma de almacenamiento para dispositivos de alimentación GaN en Si, incluyendo HEMT de GaN y dispositivos de conmutación de alta eficiencia.
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* Especificaciones típicas; Los valores reales pueden variar según el tamaño de la oblea, el sustrato y las condiciones de crecimiento.
Las plantillas de AlN en silicio pueden usarse como plataforma de almacenamiento para dispositivos de alimentación GaN en Si, incluyendo HEMT de GaN y dispositivos de conmutación de alta eficiencia.
Las plantillas de AlN sobre silicio también pueden soportar estructuras seleccionadas de RF GaN y de alta frecuencia de dispositivos, dependiendo del diseño epitaxial general. Las aplicaciones típicas incluyen:
Las plantillas proporcionan una interfaz controlada de AlN para el crecimiento epitaxial posterior de GaN / AlGaN, lo que las hace adecuadas para la investigación y desarrollo de estructuras HEMT de GaN.
Respuestas rápidas sobre selección de materiales, personalización, pruebas y pedidos.
El espesor típico de AlN varía de 50 nm a 1 μm, y puede personalizarse según la arquitectura epitaxial de GaN.
Sí. Se pueden discutir pequeñas cantidades y especificaciones personalizadas para proyectos de investigación y prototipos.
Por favor, proporcione el diámetro de la oblea, orientación del silicio, grosor de AlN, cantidad y aplicación objetivo. Luego podemos recomendar una especificación y un presupuesto adecuados.
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