AlN sobre plantilla de silicio — Si, buffer GaN-on-Si de 4/6/8 pulgadas | PWG

Plantilla AlN

AlN sobre plantilla de silicio

AlN en plantillas de silicio proporcionan una interfaz y una plataforma de buffer de alta calidad para la epitaxia GaN posterior, apoyando el desarrollo de dispositivos de potencia GaN y RF de alto rendimiento.
  • Sustrato Silicio (100) o (111)
  • Tamaño 4", 6", 8", personalizable
  • Espesor de epinefrina 50nm~1μm
  • Acabado superficial Epi-Ready
  • XRD FWHM (0002) Arcsec típico ≤1050
  • Especificaciones personalizadas Aceptable
  • Paquete Casete de una sola oblea, sellado al vacío
Especificaciones detalladas

Especificaciones publicadas por diámetro de la oblea.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

ParámetroAlN sobre plantilla de silicio
SustratoSilicio
Orientación del sustrato(111) / (100)
Tamaño4", 6", 8" y personalizado
Grosor de la película AlN50nm–1μm, personalizable
XRD FWHM (0002)≤1050 arcseg*
Rugosidad superficialRa
SuperficieEpi-ready
Función primariaBuffer / plantilla de AlN para la epitaxia GaN-on-Si

* Especificaciones típicas; Los valores reales pueden variar según el tamaño de la oblea, el sustrato y las condiciones de crecimiento.

Aplicaciones

Donde esta oblea aporta valor

01

Electrónica de Potencia GaN

Las plantillas de AlN en silicio pueden usarse como plataforma de almacenamiento para dispositivos de alimentación GaN en Si, incluyendo HEMT de GaN y dispositivos de conmutación de alta eficiencia.

02

Dispositivos RF GaN

Las plantillas de AlN sobre silicio también pueden soportar estructuras seleccionadas de RF GaN y de alta frecuencia de dispositivos, dependiendo del diseño epitaxial general. Las aplicaciones típicas incluyen:

03

Epitaxia GaN HEMT

Las plantillas proporcionan una interfaz controlada de AlN para el crecimiento epitaxial posterior de GaN / AlGaN, lo que las hace adecuadas para la investigación y desarrollo de estructuras HEMT de GaN.

Preguntas frecuentes

Preguntas frecuentes sobre este producto

Respuestas rápidas sobre selección de materiales, personalización, pruebas y pedidos.

El espesor típico de AlN varía de 50 nm a 1 μm, y puede personalizarse según la arquitectura epitaxial de GaN.

Sí. Se pueden discutir pequeñas cantidades y especificaciones personalizadas para proyectos de investigación y prototipos.

Por favor, proporcione el diámetro de la oblea, orientación del silicio, grosor de AlN, cantidad y aplicación objetivo. Luego podemos recomendar una especificación y un presupuesto adecuados.

Investigación técnica

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