Los sustratos independientes (FS) de GaN son obleas nativas a granel que eliminan sustratos extraños (zafiro/silicio). Con densidad de dislocaciones ultra baja y alta calidad cristalina, proporcionando la plataforma definitiva para diodos láser de alto rendimiento, micro-LEDs y dispositivos RF.

La plantilla de GaN de PWG se refiere a capas epitaxiales de GaN de alta calidad crecidas sobre sustratos de zafiro, silicio o SiC. Proporcionando una plataforma rentable y lista para la epinefrisación posterior de GaN y la fabricación avanzada de dispositivos.

Las obleas epitaxiales LED GaN de PWG son heteroestructuras AlGaN/InGaN crecidas con MOCVD diseñadas para LEDs UV, azules y verdes de alta eficiencia. Con estructuras precisas de pozo multicuántico (MQW), estas obleas de epi ofrecen una alta eficiencia cuántica interna (IQE), emisión uniforme y una fiabilidad superior del dispositivo.

Estructuras HEMT de AlGaN/GaN de precisión para conmutación de RF de alta frecuencia y alta potencia. Cuenta con buffers de bajo defectos y canales 2DEG de alta densidad para un rendimiento superior del dispositivo.

Obleas de sustrato SiC premium para dispositivos de potencia, RF y optoelectrónicos. Disponible en politipos 4H, 6H y 3C con opciones tipo N, tipo P y semiaislantes. Ofrecido en tamaños de 2"–12" con acabados Epi-ready para fabricación avanzada de semiconductores.

Obleas epitaxiales SiC cultivadas por CVD, que ofrecen excelente uniformidad de grosor y baja densidad de defectos. Diseñado para dispositivos de alimentación de 600V a 10kV (SBDs, MOSFETs, IGBTs), permitiendo aplicaciones de alto rendimiento en vehículos eléctricos, propulsores industriales y energías renovables.