Obleas SiC

Sustrato SiC

Obleas de sustrato SiC para aplicaciones de potencia, RF, optoelectrónicas y semiconductores avanzados. Disponible en 4H-SiC, 6H-SiC y 3C-SiC, con opciones tipo N, tipo P y semiaislantes, múltiples tamaños de obleas, niveles de dopaje y acabados superficiales.

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Obleas SiC

Epitaxia SiC

Nuestras obleas epitaxiales de SiC – cultivadas por CVD sobre sustratos de SiC – proporcionan una uniformidad bien controlada y baja densidad de defectos, formando una plataforma fiable para SBD, MOSFET, JFET, IGBT, GTO, BJT, entre otros, desde 600V hasta 10kV.

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GaN Wafers

Plantilla GaN

Las plantillas de GaN de PWG consisten en una capa epitaxial de GaN de alta calidad cristalina crecida sobre sustratos extraños, ofreciendo un equilibrio óptimo entre rendimiento, gestión térmica y eficiencia de costes.

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GaN Wafers

Epitaxia LED GaN

Las obleas epitaxiales GaN LED de PWG son heteroestructuras listas para fabricar desarrolladas por MOCVD, diseñadas para alta eficiencia cuántica interna (IQE), emisión uniforme y rendimiento robusto.

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GaN Wafers

Epitaxia GaN HEMT

Las obleas epitaxiales GaN HEMT son heteroestructuras AlGaN/GaN crecidas con precisión diseñadas para dispositivos de conmutación de alta y alta potencia.

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GaN Wafers

Sustrato de GaN independiente

Los sustratos independientes (FS) de GaN son obleas de GaN a granel que eliminan la plantilla de crecimiento extraña (por ejemplo, zafiro o silicio), proporcionando una plataforma nativa con densidad de dislocaciones significativamente reducida. Esto permite mejorar el rendimiento, la fiabilidad y la vida útil de los dispositivos en aplicaciones exigentes

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