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La exportación de este producto está regulada por el Ministerio de Comercio de la RPC (MOFCOM). Debe obtenerse una licencia de exportación antes del envío.
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Una plataforma óptima para dispositivos de conmutación de alta y alta potencia, incluyendo HEMTs de potencia GaN-on-Si para cargadores rápidos, trenes motrices para vehículos eléctricos y fuentes de alimentación para centros de datos.
Las plantillas GaN son ideales para módulos frontales de RF de alta frecuencia, infraestructura 5G/6G y amplificadores de potencia mmWave que requieren alta movilidad electrónica y estabilidad térmica.
Aplicado en el crecimiento epitaxial de emisores LED azules y verdes, diodos láser (LD) y pantallas Micro-LED de próxima generación. Habilitar estructuras avanzadas de InGaN/GaN MQW para emisión de luz de alta eficiencia.
Para fabricar fotodetectores UVC/UVA, sensores UV cegantes al sol, y dispositivos químicos/biosensores que requieren alta calidad cristalina y baja densidad de defectos.
Respuestas rápidas sobre selección de materiales, personalización, pruebas y pedidos.
Sí. Las plantillas de GaN están diseñadas principalmente como plataformas listas para epinefrino para epitaxia posterior de GaN o III-nitruro relacionada, ayudando a simplificar el proceso de crecimiento y proporcionar una superficie cristalina controlada.
Sí. Además de las plantillas GaN, PWG puede proporcionar plantillas AlGaN e InGaN para aplicaciones que requieren ingeniería de banda prohibida, especialmente dispositivos avanzados UV, luz visible y otros dispositivos optoelectrónicos.
Una plantilla de GaN consiste en una fina capa epitaxial de GaN crecida sobre un sustrato ajeno (por ejemplo, zafiro o Si), ofreciendo una plataforma rentable para el regeneración de dispositivos. Un sustrato de GaN independiente es una oblea de GaN a granel con el sustrato extraño eliminado, proporcionando la mayor calidad cristalina y rendimiento térmico para dispositivos de gama alta.
Sí. PWG es amigable con investigación y desarrollo, con MOQ flexible para prototipos. Apoyamos la personalización rápida del espesor, el dopaje y los tipos de sustrato del epi para adaptarlos a los requisitos de tu dispositivo.
Los sustratos independientes (FS) de GaN son obleas nativas a granel que eliminan sustratos extraños (zafiro/silicio). Con densidad de dislocaciones ultra baja y alta calidad cristalina, proporcionando la plataforma definitiva para diodos láser de alto rendimiento, micro-LEDs y dispositivos RF.
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Las obleas epitaxiales LED GaN de PWG son heteroestructuras AlGaN/InGaN crecidas con MOCVD diseñadas para LEDs UV, azules y verdes de alta eficiencia. Con estructuras precisas de pozo multicuántico (MQW), estas obleas de epi ofrecen una alta eficiencia cuántica interna (IQE), emisión uniforme y una fiabilidad superior del dispositivo.
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Estructuras HEMT de AlGaN/GaN de precisión para conmutación de RF de alta frecuencia y alta potencia. Cuenta con buffers de bajo defectos y canales 2DEG de alta densidad para un rendimiento superior del dispositivo.
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