GaN Wafers

Plantilla GaN

Las plantillas de GaN de PWG consisten en una capa epitaxial de GaN de alta calidad cristalina crecida sobre sustratos extraños, ofreciendo un equilibrio óptimo entre rendimiento, gestión térmica y eficiencia de costes.

Opciones de sustrato — zafiro, silicio o SiC
Conducción de la epicapa de GaN — Tipo N (dopado con Si), tipo P (dopado con Mg) y semiaislante (dopado con Fe)
Espesor de epinefrina — 1μm a 100μm (personalizable)
Calidad cristalina — Densidad de dislocaciones <1×10⁸cm⁻² (en zafiro)
Opciones de materiales ampliados — Plantilla AlGaN, plantilla InGaN

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Especificaciones detalladas

Especificaciones publicadas por diámetro de la oblea.

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Punto	Plantilla GaN-on-Sapphire (GaN-on-Al₂O₃)
Sustrato	Zafiro
Diámetros	2 pulgadas (50,8 mm), 3 pulgadas (76,2 mm), 4 pulgadas (100 mm) y 6 pulgadas (150 mm)
Acabado superficial	Epi-ready, pulido en una o doble cara
Rugosidad superficial	Ra
Capa de GaN	Capa de GaN
Tipos de conducción	Tipo N (dopado con Si), tipo P (dopado con Mg) y Semiaislante (dopado con Fe)
Rango de espesor	4μm a 100μm, personalizable
Densidad de dislocaciones	típicamente
Resistencia	• Tipo N: 1×10⁶Ω·cm
XRD FWHM de (002)
FWHM XRD de (102)

Punto	GaN en plantilla de silicio
Sustrato	Silicio
Diámetros	2 pulgadas (50,8 mm), 4 pulgadas (100 mm), 6 pulgadas (150 mm) y 8 pulgadas (200 mm)
Acabado superficial	Epi-ready, pulido en una o doble cara
Resistividad	Baja resistividad o alta resistividad
Capa GaN	Capa GaN
Tipos de conducción	Tipo N (dopado con silicio), tipo P (dopado con Mg) y semiaislante (dopado con Fe)
Grosor	~4-6 μm, personalizable

Punto	GaN en plantilla SiC
Sustrato	4H-SiC semiaislante
Diámetros	2 pulgadas (50,8 mm), 4 pulgadas (100 mm) y 6 pulgadas (150 mm)
Acabado superficial	Epi-ready, pulido en una o doble cara
Rugosidad superficial	Ra
Capa de GaN	Capa de GaN
Tipos de conducción	Tipo N (dopado con Si), tipo P (dopado con Mg) y Semiaislante (dopado con Fe)
Rango de espesor	1μm~2μm, personalizable
XRD FWHM de (002)
FWHM XRD de (102)

Preguntas frecuentes

Preguntas frecuentes sobre este producto

Respuestas rápidas sobre selección de materiales, personalización, pruebas y pedidos.

¿Se pueden usar plantillas de GaN para un crecimiento epitaxial adicional?

Sí. Las plantillas de GaN están diseñadas principalmente como plataformas listas para epinefrino para epitaxia posterior de GaN o III-nitruro relacionada, ayudando a simplificar el proceso de crecimiento y proporcionar una superficie cristalina controlada.

¿Suministráis plantillas de AlGaN e InGaN?

Sí. Además de las plantillas GaN, PWG puede proporcionar plantillas AlGaN e InGaN para aplicaciones que requieren ingeniería de banda prohibida, especialmente dispositivos avanzados UV, luz visible y otros dispositivos optoelectrónicos.

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