GaN Wafers

Epitaxia LED GaN

Las obleas epitaxiales GaN LED de PWG son heteroestructuras listas para fabricar desarrolladas por MOCVD, diseñadas para alta eficiencia cuántica interna (IQE), emisión uniforme y rendimiento robusto.

Opciones de sustrato — zafiro (plano o con estampados), Si
Rango de longitudes de onda — ultravioleta (265–405nm), azul (445–475nm) y verde (510–530nm)
Región activa — InGaN/GaN MQW para emisiones visibles; Estructuras basadas en AlGaN para UV
Personalización — Grosores de capas, concentraciones de dopaje y epiestructura

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Especificaciones detalladas

Especificaciones publicadas por diámetro de la oblea.

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Parámetro	Oblea LED UVC
Longitud de onda de emisión	275 millas náuticas
Diámetros disponibles	2″ / 4″ / 6″ / 8″
Estructura de la capa clave	Epiestructura basada en AlGaN con capa de nucleación de AlN
Rendimiento típico	Contacto para más detalles
Tipo de sustrato	Zafiro plano o con estampado (PSS)

Parámetro	Epitaxia LED UVA
Longitud de onda de emisión	365 millas náuticas
Diámetros disponibles	2″ / 4″ / 6″ / 8″
Estructura de la capa clave	Región activa MQW de AlGaN/GaN
Rendimiento típico	Contacto para más detalles
Sustrato	Zafiro

Parámetro	Oblea de epi LED GaN para emisión de luz azul
Longitud de onda de emisión	445 – 475 millas náuticas
Diámetros disponibles	2″ / 4″ / 6″ / 8″
Estructura de la capa clave	n-GaN/InGaN-GaN MQW/p-GaN
Rendimiento típico	Contacto para más detalles
Tipo de sustrato	Zafiro plano o con estampado (PSS)

Parámetro	Oblea epitaxial LED GaN para emisión de luz verde
Longitud de onda de emisión	510 – 530 millas náuticas
Diámetros disponibles	2″ / 4″ / 6″ / 8″
Estructura de la capa clave	n-GaN/InGaN-GaN MQW/p-GaN
Rendimiento típico	Contacto para más detalles
Sustrato	Zafiro

Preguntas frecuentes

Preguntas frecuentes sobre este producto

Respuestas rápidas sobre selección de materiales, personalización, pruebas y pedidos.

¿Qué es la capa activa en la epitaxia GaN LED?

Para LEDs visibles, la región activa suele usar MQWs InGaN/GaN. Para los LEDs UV, se utilizan estructuras activas basadas en AlGaN para lograr longitudes de onda de emisión más cortas.

¿Se puede personalizar la estructura de epi del LED GaN?

Sí. PWG puede personalizar el grosor de la capa, la concentración de dopaje, el diseño del MQW, la composición, la longitud de onda de emisión y la estructura global de epi según los requisitos del dispositivo y del proceso del cliente.

¿Puede PWG suministrar obleas de epi para proyectos de investigación y desarrollo y pequeños lotes?

Sí. Se pueden desarrollar estructuras epitaxiales personalizadas de LED GaN para aplicaciones de investigación y desarrollo, fabricación de prototipos y producción, con especificaciones ajustadas a los requisitos del dispositivo del cliente.

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