01
Curado y purificación UV
Obleas de epi UVA/UVC a base de AlGaN para curar tintas, resinas y recubrimientos. Obleas de epi UVC de alta potencia para sistemas eficientes de purificación de agua y aire.
GaN Wafers
Epitaxia LED GaN
Las obleas epitaxiales LED GaN de PWG son heteroestructuras AlGaN/InGaN crecidas con MOCVD diseñadas para LEDs UV, azules y verdes de alta eficiencia. Con estructuras precisas de pozo multicuántico (MQW), estas obleas de epi ofrecen una alta eficiencia cuántica interna (IQE), emisión uniforme y una fiabilidad superior del dispositivo.
- Opciones de sustrato — zafiro (plano o con estampados), Si
- Rango de longitudes de onda — UVC (265–280nm), UVA (365–405nm), Blue (445–475nm), Green (510–530nm)
- Región activa — InGaN/GaN MQW (visible) · Basado en AlGaN (UV)
- Personalización — Grosores de capas, concentraciones de dopaje y epiestructura
- Embalaje — Casete de una sola oblea, sellado al vacío
Especificaciones detalladas
Especificaciones por tipo de oblea.
Select a wafer type to view detailed specs
Aviso de Control de Exportaciones
La exportación de este producto está regulada por el Ministerio de Comercio de la RPC (MOFCOM). Debe obtenerse una licencia de exportación antes del envío.
Aviso de Control de Exportaciones
La exportación de este producto está regulada por el Ministerio de Comercio de la RPC (MOFCOM). Debe obtenerse una licencia de exportación antes del envío.
Aviso de Control de Exportaciones
La exportación de este producto está regulada por el Ministerio de Comercio de la RPC (MOFCOM). Debe obtenerse una licencia de exportación antes del envío.
Aviso de Control de Exportaciones
La exportación de este producto está regulada por el Ministerio de Comercio de la RPC (MOFCOM). Debe obtenerse una licencia de exportación antes del envío.
Aplicaciones
Donde esta oblea aporta valor
02
Medicina y Sensores
Emisión fiable de UVC para equipos de esterilización médica y desinfección. Obleas de epi UV y visibles personalizadas para biodetección avanzada y detección ambiental.
03
Iluminación General y Automotriz
Emisores azules y verdes de alta eficiencia para iluminación general y arquitectónica. Estructuras epitaxiales robustas para faros de automóviles, DRLs y iluminación interior.
04
Pantalla y Micro-LED
Obleas de epi uniformes y de alta luminosidad para unidades de retroiluminación LCD (BLU). Estructuras avanzadas InGaN/GaN MQW que permiten pantallas micro-LED de próxima generación.
Preguntas frecuentes
Preguntas frecuentes sobre este producto
Respuestas rápidas sobre selección de materiales, personalización, pruebas y pedidos.
PWG proporciona obleas epitaxiales LED de GaN cultivadas con MOCVD sobre zafiro plano, sustrato de zafiro con patrón (PSS) y silicio (Si). PSS se recomienda para LEDs azules y verdes de alta luminosidad para mejorar la eficiencia de extracción de luz, mientras que Si ofrece una plataforma rentable y escalable para aplicaciones específicas de potencia y sensores.
Nuestro portafolio estándar abarca un amplio espectro: UVC (265–280nm), UVA (365–405nm), Azul (445–475nm), Verde (510–530nm) y Rojo (590–600nm). También ofrecemos segmentación personalizada en longitudes de onda bajo solicitud.
Sí. PWG ofrece personalización completa del grosor de capa, concentración de dopaje, diseño de pozos cuánticos múltiples (MQW) InGaN/GaN y estructuras activas basadas en AlGaN para LEDs UV. Nuestro equipo de ingeniería adapta la estructura epitaxial para adaptarse a los requisitos exactos de tu dispositivo y proceso.
Cada lote pasa por un riguroso control de calidad, incluyendo mapeo XRD, AFM y PL, para garantizar un control estricto de la uniformidad de la longitud de onda de emisión, el grosor y la baja densidad de defectos. Garantizamos la consistencia de lote a lote con trazabilidad total y proporcionamos un Certificado de Análisis (CoA).
Sustrato de GaN independiente
Los sustratos independientes (FS) de GaN son obleas nativas a granel que eliminan sustratos extraños (zafiro/silicio). Con densidad de dislocaciones ultra baja y alta calidad cristalina, proporcionando la plataforma definitiva para diodos láser de alto rendimiento, micro-LEDs y dispositivos RF.
Ver detalles
Plantilla GaN
La plantilla de GaN de PWG se refiere a capas epitaxiales de GaN de alta calidad crecidas sobre sustratos de zafiro, silicio o SiC. Proporcionando una plataforma rentable y lista para la epinefrisación posterior de GaN y la fabricación avanzada de dispositivos.
Ver detalles
Epitaxia GaN HEMT
Estructuras HEMT de AlGaN/GaN de precisión para conmutación de RF de alta frecuencia y alta potencia. Cuenta con buffers de bajo defectos y canales 2DEG de alta densidad para un rendimiento superior del dispositivo.
Ver detallesInvestigación técnica
Habla con los ingenieros sobre tus necesidades de obleas
Comparte tu material, dimensiones, especificaciones, fase de aplicación o proyecto. Nuestro equipo revisará tus necesidades y responderá en un plazo de un día laborable.
Respuesta liderada por la ingeniería
Las consultas se dirigen al equipo técnico o comercial correspondiente.
Dirección
Nº 1389, Carretera Lianmei, Zona Industrial de Lianhua, Tong'an, Xiamen, Fujian 361100, China
Teléfono
Correo electrónico