01
Diodos láser azules, verdes y UV (LDs)
La baja densidad de defectos es fundamental para lograr una larga vida operativa, una corriente umbral baja y una alta fiabilidad en láseres emisores de borde y VCSELs.
GaN Wafers
Sustrato de GaN independiente
Los sustratos independientes (FS) de GaN son obleas de GaN a granel que eliminan la plantilla de crecimiento extraña (por ejemplo, zafiro o silicio), proporcionando una plataforma nativa con densidad de dislocaciones significativamente reducida. Esto permite mejorar el rendimiento, la fiabilidad y la vida útil de los dispositivos en aplicaciones exigentes
- Tamaño — 4 pulgadas, 2 pulgadas, 10*10mm2
- Orientación cristalina — plano A/C/M, semipolar, no polar
- Densidad de dislocaciones — <5x106cm⁻² típico
- Conducción — semiaislante o conductor
Especificaciones detalladas
Especificaciones publicadas por diámetro de la oblea.
Select a diameter to review the corresponding published specification set.
Aplicaciones
Donde esta oblea aporta valor
02
Micro-LEDs y pantallas avanzadas
Esencial para fabricar matrices de micropíxeles uniformes y de alta eficiencia con mínima variación de longitud de onda, impulsando pantallas de próxima generación para AR/VR y aplicaciones de ultra alto brillo.
03
Dispositivos RF de alta potencia / alta frecuencia
La combinación de excelente conductividad térmica y propiedades semiaislantes hace que estos sustratos sean ideales para amplificadores de potencia RF de alta linealidad y alta eficiencia en infraestructuras 5G/6G y sistemas de ondas milimétricas.
04
Investigación y Desarrollo Fundamental y Aplicada
La plataforma definitiva para explorar la novedosa física de dispositivos GaN, estructuras cuánticas y conceptos optoelectrónicos de próxima generación.
Preguntas frecuentes
Preguntas frecuentes sobre este producto
Respuestas rápidas sobre selección de materiales, personalización, pruebas y pedidos.
La densidad típica de dislocaciones es <5 × 10⁶ cm⁻². Los valores específicos pueden discutirse según la calidad y aplicación requerida de la oblea.
Sí. Además del GaN convencional en plano c, podemos proporcionar sustratos de plano a, plano m, semipolar y no polar según los requisitos de la estructura del dispositivo prevista.
Investigación técnica
Habla con los ingenieros sobre tus necesidades de obleas
Comparte tu material, dimensiones, especificaciones, fase de aplicación o proyecto. Nuestro equipo revisará tus necesidades y responderá en un plazo de un día laborable.
Respuesta liderada por la ingeniería
Las consultas se dirigen al equipo técnico o comercial correspondiente.
Dirección
Nº 1389, Carretera Lianmei, Zona Industrial de Lianhua, Tong'an, Xiamen, Fujian 361100, China
Teléfono
Correo electrónico