01
Diodos láser azules, verdes y UV (LDs)
La baja densidad de dislocaciones (<5×10⁶ cm⁻²) permite láseres y VCSEL emisores de borde de alta eficiencia, bajo umbral y larga vida útil para aplicaciones azules, verdes y UV.
GaN Wafers
Sustrato de GaN independiente
Los sustratos independientes (FS) de GaN son obleas nativas a granel que eliminan sustratos extraños (zafiro/silicio). Con densidad de dislocaciones ultra baja y alta calidad cristalina, proporcionando la plataforma definitiva para diodos láser de alto rendimiento, micro-LEDs y dispositivos RF.
- Tamaño — 2 pulgadas, 4 pulgadas, 10 x 10 mm²
- Orientación cristalina — plano A/C/M, semipolar, no polar
- Densidad de dislocaciones — típicamente < 5×10⁶ cm⁻²
- Tipo de conducción — Tipo N (Si-dopado) · Semiaislante (dopado con Fe o C)
- Acabado superficial — Epi-ready
- Embalaje — Casete de una sola oblea, sellado al vacío
Especificaciones detalladas
Especificaciones por tipo de oblea.
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Aviso de Control de Exportaciones
La exportación de este producto está regulada por el Ministerio de Comercio de la RPC (MOFCOM). Debe obtenerse una licencia de exportación antes del envío.
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Aplicaciones
Donde esta oblea aporta valor
02
Micro-LEDs y pantallas avanzadas
Plataforma nativa GaN que proporciona emisiones uniformes y alta calidad cristalina para pantallas micro-LED AR/VR de próxima generación y aplicaciones de ultra alto brillo.
03
RF de alta potencia / alta frecuencia
Su excelente conductividad térmica y sus propiedades semiaislantes la hacen ideal para amplificadores de potencia RF de alta linealidad y alta eficiencia en infraestructuras 5G/6G y sistemas de ondas milimétricas.
04
Investigación y Desarrollo Fundamental y Aplicada
La plataforma definitiva para explorar la novedosa física de dispositivos GaN, dispositivos cuánticos (puntos/cables cuánticos) y conceptos optoelectrónicos de próxima generación.
Preguntas frecuentes
Preguntas frecuentes sobre este producto
Respuestas rápidas sobre selección de materiales, personalización, pruebas y pedidos.
La densidad típica de dislocaciones es <5×10⁶ cm⁻². Los valores específicos pueden discutirse según la calidad y aplicación requerida de la oblea.
Sí. Además del GaN convencional en plano c, podemos proporcionar sustratos de plano a, plano m, semipolar y no polar según los requisitos de la estructura del dispositivo prevista.
Sí. PWG es amigable con la investigación y desarrollo. Ofrecemos tanto tamaños estándar (2 pulgadas, 4 pulgadas, 10x10mm²) como dimensiones personalizadas.
Las obleas se sellan al vacío en casetes de una sola oblea dentro de una sala limpia para garantizar la entrega lista para Fab.
Plantilla GaN
La plantilla de GaN de PWG se refiere a capas epitaxiales de GaN de alta calidad crecidas sobre sustratos de zafiro, silicio o SiC. Proporcionando una plataforma rentable y lista para la epinefrisación posterior de GaN y la fabricación avanzada de dispositivos.
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Epitaxia LED GaN
Las obleas epitaxiales LED GaN de PWG son heteroestructuras AlGaN/InGaN crecidas con MOCVD diseñadas para LEDs UV, azules y verdes de alta eficiencia. Con estructuras precisas de pozo multicuántico (MQW), estas obleas de epi ofrecen una alta eficiencia cuántica interna (IQE), emisión uniforme y una fiabilidad superior del dispositivo.
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Epitaxia GaN HEMT
Estructuras HEMT de AlGaN/GaN de precisión para conmutación de RF de alta frecuencia y alta potencia. Cuenta con buffers de bajo defectos y canales 2DEG de alta densidad para un rendimiento superior del dispositivo.
Ver detallesInvestigación técnica
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