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Capas de epi de alto voltaje y baja resistencia para trenes motrices de vehículos eléctricos y sistemas de carga rápida. Optimizado para MOSFETs SiC de 650V-1700V y diodos JBS, con alta uniformidad de grosor del ≤4% y perfiles de dopaje precisos.
Obleas de epi fiables diseñadas para conversión de energía en ambientes adversos y maquinaria pesada. Diseñado para MOSFETs SiC de alta potencia, SBDs y módulos de potencia de 1200V+ en inversores solares, almacenamiento de energía y sistemas de transporte ferroviario.
Habilitar capas de epinefrisación con pérdida de conmutación ultra baja para fuentes de alimentación de servidor de alta densidad (PSU). Diseñado para MOSFETs de Zanja y rectificadores de alta eficiencia, ofreciendo bajos BPDs y rugosidad superficial mínima para máxima eficiencia energética.
Capas epitaxiales gruesas para redes inteligentes de próxima generación y sistemas de almacenamiento de energía (ESS). Soporta IGBTs de 10kV+, GTO y uniones PN con nuestra capacidad de epinefrina ultra-gruesa que va de 30 a 200μm.
Respuestas rápidas sobre selección de materiales, personalización, pruebas y pedidos.
Para la homoepitaxia estándar 4H-SiC, la concentración de portadores puede controlarse aproximadamente entre 1×10¹⁴ y 1×10¹⁹ cm⁻³. Esto depende del tipo de conductividad (tipo N o tipo P) y del diseño específico de tu adrenalina.
Para la homoepitaxia estándar 4H-SiC, la uniformidad del grosor puede controlarse hasta aproximadamente el ≤10%. Para estructuras de epi SiC tipo P seleccionadas, la uniformidad puede alcanzar el ≤4%. El rendimiento real depende del tamaño de la oblea, el grosor de epi y la estructura.
Sí. PWG puede desarrollar estructuras epitaxiales multicapa personalizadas, incluyendo capas de tampón, capas de dispersión de corriente, capas de canal, capas de barrera y otras estructuras específicas del dispositivo.
Sí. Ofrecemos capas epitaxiales SiC de 30–200 μm de espesor para aplicaciones de ultra alto voltaje (hasta 10kV+). El grosor, la concentración de dopaje y la uniformidad se optimizan según el voltaje de ruptura objetivo.
Implementamos un estricto control de procesos epinefrinos para minimizar las dislocaciones del plano basal (BPDs) y las fallas de apilamiento (SF). La densidad típica de defectos se mantiene a niveles líderes en la industria para garantizar un alto rendimiento y fiabilidad del dispositivo. Los datos completos de mapeo están disponibles bajo solicitud.
Investigación técnica
Comparte tu material, dimensiones, especificaciones, fase de aplicación o proyecto. Nuestro equipo revisará tus necesidades y responderá en un plazo de un día laborable.
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