Sustrato de silicio | Grupo Power Wafertech

Sustrato de silicio

Power Wafertech Group suministra obleas de silicio monocristalino para fabricación de dispositivos semiconductores, MEMS, crecimiento epitaxial y aplicaciones de investigación. Se pueden suministrar tanto obleas de silicio de calidad prima como de prueba de prueba.

Tamaño — 4”, 6”, 8”, 12”
Orientación — (100), (110), (111), (211), etc.
Método de crecimiento — CZ, FZ
Resistividad — 0,0005 Ω·cm a >10.000 Ω·cm
Acabado superficial — SSP, DSP, lapado, grabado y tal como
Embalaje — Casete de una o varias obleas, sellado al vacío

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Especificaciones detalladas

Especificaciones publicadas por diámetro de la oblea.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

Parámetro	Oblea de silicio de 6" (150 mm)
Crecimiento de cristales	CZ / FZ
Orientación cristalina	(100), (110), (111)
Tipo de dopaje	Tipo N (P, As, Sb), tipo P (B)
Grado	Primera, prueba, muñeco, calificación de investigación
Resistividad	0,0005–10.000+ Ω·cm, dependiendo del método de crecimiento y el dopaje
Grosor	675 ± 25μm
TTV	≤5μm
Arco
Warp
Acabado superficial	SSP, DSP, lapado, grabado o tal como
Arista	Muesca o plana, estándar SEMI
Embalaje	Casete de una o varias obleas, sellado al vacío

Parámetro	Sustrato de silicio de 8" (200 mm)
Crecimiento de cristales	CZ / FZ
Orientación cristalina	(100), (110), (111)
Tipo de dopaje	Tipo N (P, As, Sb), tipo P (B)
Grado	Primera, prueba, muñeco, calificación de investigación
Resistividad	0,0005–10.000+ Ω·cm, dependiendo del método de crecimiento y el dopaje
Grosor	725 ± 25 μm
TTV
Arco
Warp
Acabado superficial	SSP, DSP, lapado, grabado o tal como
Arista	Notch, estándar SEMI
Embalaje	Casete de una o varias obleas, sellado al vacío

Parámetro	Sustrato de silicio de 12" (300 mm)
Crecimiento de cristales	CZ
Orientación cristalina	(100), (110), (111)
Tipo de dopaje	Tipo N (P, As, Sb), tipo P (B)
Grado	Primera, prueba, muñeco
Resistividad	Personalizado según los requisitos antidopaje
Espesor estándar	775 ± 25 μm
TTV
Arco
Warp
Acabado superficial	SSP, DSP, lapeado o grabado
Tratamiento de bordes	Notch, estándar SEMI
Embalaje	Casete de una o varias obleas, sellado al vacío

Tipo oblea de silicio	Resistividad típica	Aplicaciones clave
Si fuertemente dopado	0,0005–0,005 Ω·cm	Dispositivos de potencia, MOSFETs, IGBTs, diodos de potencia, sustratos epitaxiales
Si de resistividad baja/media	0,005–100 Ω·cm	CIs, CMOS, MEMS, sensores, investigación y desarrollo de semiconductores
Si de alta resistividad	100–10.000 Ω·cm	Dispositivos RF, circuitos de alta frecuencia, sensores, investigación
Si de ultra alta resistencia	>10.000 Ω·cm	RF, microondas, detectores y aplicaciones de investigación especializada

Aplicaciones

Donde esta oblea aporta valor

Si fuertemente dopado

Dispositivos de potencia, MOSFETs, IGBTs, diodos de potencia, sustratos epitaxiales | Resistividad típica: 0,0005–0,005 Ω·cm

Si de resistividad baja/media

CIRCUITOS INTEGRADOS, CMOS, MEMS, SENSORES, I&D de semiconductores | Resistividad típica: 0,005–100 Ω·cm

Si de alta resistividad

Dispositivos RF, circuitos de alta frecuencia, sensores, investigación | Resistividad típica: 100–10.000 Ω·cm

Si de ultra alta resistencia

RF, microondas, detectores y aplicaciones de investigación especializada | Resistividad típica: >10.000 Ω·cm

Preguntas frecuentes

Preguntas frecuentes sobre este producto

Respuestas rápidas sobre selección de materiales, personalización, pruebas y pedidos.

¿Qué rango de resistividad está disponible?

Nuestra cartera de obleas de silicio abarca aproximadamente de 0,0005 Ω·cm a >10.000 Ω·cm, dependiendo del método de crecimiento cristalino y los requisitos de dopaje.

¿Proporcionáis obleas de silicio prime y de grado de prueba?

Sí. Suministramos obleas de prim, prueba, ficticias y de calidad de investigación según la aplicación y los requisitos de calidad.

¿Se pueden personalizar las especificaciones de las obleas de silicio?

Sí. El diámetro, la orientación, el dopaje, la resistividad, el grosor, el acabado superficial, la TTV, el arco y la urdimbre pueden personalizarse según requisitos específicos de dispositivos o procesos.

Investigación técnica

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