Oblea de dióxido de silicio | Grupo Power Wafertech

Oblea de dióxido de silicio

Power Wafertech Group suministra obleas de dióxido de silicio (SiO₂ sobre Si) fabricadas mediante oxidación térmica controlada de sustratos de silicio. Existen tanto la oxidación térmica seca como la oxidación térmica húmeda para diferentes grosores de óxido y requisitos de proceso. Nuestras obleas SiO₂ presentan un grosor controlado de óxido, buena uniformidad a nivel de oblea y superficies listas para epi-/proceso.

Tamaño — 6”, 8”, 12”
Tipo — Oxidación seca, oxidación húmeda
Espesor de óxido seco — típicamente entre 15 y 300 millas náuticas
Espesor de óxido húmedo — típicamente 500 nm–2 μm
Superficie oxidada — Oxidación de un o doble lado
Embalaje — Casete de una o varias obleas, sellado al vacío

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Especificaciones detalladas

Especificaciones publicadas por diámetro de la oblea.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

Parámetro	Oxidación térmica seca	Oxidación Térmica Húmeda
Orientación del sustrato	(100), (110), (111)	(100), (110), (111)
Tipo de sustrato	Tipo N / Tipo P	Tipo N / Tipo P
Método de oxidación	Oxidación seca de O₂	Oxidación por vapor de H₂O
Superficie oxidada	De una sola cara / doble cara	De una sola cara / doble cara
Espesor típico de óxido	15~300nm, personalizable	500nm~2μm, personalizable
Densidad (g/cm³)	2.24 – 2.27	2.18 – 2.21
Índice de refracción (λ=546nm)	1.460 – 1.466	1.435 – 1.458
Constante dieléctrica	3.4 (a 10KHz)	3,82 (a 1MHz)
Resistencia dieléctrica (×10⁶ V/cm)	9	No especificado

Aplicaciones

Donde esta oblea aporta valor

MOS y Dieléctricos de compuertas

Capas térmicas secas de SiO₂ delgadas pueden usarse como capas dieléctricas de puerta o capas aislantes en estructuras de dispositivos basadas en MOS. MOSFETs MOS Condensadores Dispositivos analógicos Sensores I&D de semiconductores

Aislamiento eléctrico

Capas de SiO₂ más gruesas proporcionan aislamiento eléctrico entre estructuras de dispositivos y pueden utilizarse para procesos de aislamiento. Circuitos integrados de potencia Dispositivos de alto voltaje Dispositivos RF Estructuras de aislamiento de dispositivos

MEMS y Sensores

Las capas de óxido térmico pueden funcionar como capas aislantes, de enmascaramiento o de sacrificio en la fabricación MEMS. Sensores MEMS Sensores de presión Microestructuras Micromecanizado de silicio

Difusión y enmascaramiento de procesos

SiO₂ proporciona una capa de enmascaramiento útil para pasos seleccionados de procesamiento de semiconductores. Difusión dopante Procesos de implantación de iones Procesos de grabado Fabricación de dispositivos

Pasivación y Protección Superficial

El óxido térmico también puede usarse como capa protectora y aislante en estructuras de dispositivos a base de silicio.

Preguntas frecuentes

Preguntas frecuentes sobre este producto

Respuestas rápidas sobre selección de materiales, personalización, pruebas y pedidos.

¿Qué es una oblea de óxido de silicio?

Una oblea de óxido de silicio es un sustrato de silicio con una capa controlada de SiO₂ que crece térmicamente en su superficie. Se utiliza ampliamente para aislamiento, pasivación, enmascaramiento y fabricación de dispositivos semiconductores.

¿Cuál es la diferencia entre oxidación en seco y húmeda?

La oxidación seca produce un óxido denso y de alta calidad, y generalmente se prefiere para capas delgadas de óxido. La oxidación húmeda tiene una tasa de crecimiento mayor y se utiliza típicamente para capas de SiO₂ más gruesas.

¿Apoyas las cantidades de investigación y desarrollo?

Sí. Apoyamos la investigación, los pedidos de prototipos y pequeños lotes, así como los requisitos de producción.

¿Qué información se necesita para un presupuesto?

Por favor, proporcione el tamaño de la oblea, orientación, tipo de dopaje, resistividad, espesor de SiO₂, método de oxidación, lado de oxidación y cantidad.

Investigación técnica

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