Obleas compuestas III-V

GaAs Wafer

El arseniuro de galio (GaAs) combina una banda prohibida directa con una alta movilidad electrónica, lo que lo convierte en un material sustrato ampliamente utilizado para MMICs, HEMTs, HBTs, VCSELs, diodos láser, LEDs y células solares de alta eficiencia. Las obleas GaAs están disponibles en múltiples diámetros, orientaciones cristalinas y acabados superficiales.

Tamaño — 2", 3", 4" y 6"
Orientación — (100), (111)A y (111)B
Tipo de conducción — Tipo N (dopado con silici), tipo P (dopado con Zn) y semiaislante (dopado en C)
Acabado superficial — SSP o DSP, listo para epi-
Embalaje — Casete de una sola oblea, sellado al vacío

Comparte este producto:

Especificaciones detalladas

Especificaciones publicadas por diámetro de la oblea.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

Parámetro	Sustrato de GaAs de 2" (50,8 mm)
Tipo de conducción	Tipo N
Dopante	Si
Orientación	(100), (111)A, (111)B
Resistividad	(1,5–9) × 10⁻³ Ω·cm
Movilidad	1500–3000 cm²/V·s
EPD	≤5000 cm⁻²
Acabado superficial	SSP / DSP, listo para epinefrina
Plano	Estándar SEMI
Embalaje	Casete de una sola oblea, sellado al vacío

Parámetro	Sustrato de GaAs de 3" (76,2 mm)
Tipo de conducción	Tipo N
Dopante	Si
Orientación	(100), (111)A, (111)B
Resistividad	(1,5–9) × 10⁻³ Ω·cm
Movilidad	1500–3000 cm²/V·s
EPD	≤5000 cm⁻²
Acabado superficial	SSP / DSP, listo para epinefrina
Plano	Estándar SEMI
Embalaje	Casete de una sola oblea, sellado al vacío

Parámetro	Sustrato de GaAs de 4"" (100 mm)
Tipo de conducción	Tipo N
Dopante	Si
Orientación	(100), (111)A, (111)B
Resistividad	(1,5–9) × 10⁻³ Ω·cm
Movilidad	1500–3000 cm²/V·s
EPD	≤5000 cm⁻²
Acabado superficial	SSP / DSP, listo para epinefrina
Plano	Estándar SEMI
Embalaje	Casete de una sola oblea, sellado al vacío

Parámetro	Sustrato de GaAs de 6"" (150mm)
Tipo de conducción	Tipo N
Dopante	Si
Orientación	(100), (111)A, (111)B
Resistividad	(1,5–9) × 10⁻³ Ω·cm
Movilidad	1500–3000 cm²/V·s
EPD	≤5000 cm⁻²
Acabado superficial	SSP / DSP, listo para epinefrina
Plano	Estándar SEMI
Embalaje	Casete de una sola oblea, sellado al vacío

Aplicaciones

Donde esta oblea aporta valor

RF y Microondas

Las obleas de GaAs semiaislantes proporcionan aislamiento eléctrico y efectos parásitos bajos para la fabricación de dispositivos de alta frecuencia. Dispositivos típicos: MMICs, HEMT, pHEMT, HBTs, amplificadores de bajo ruido, amplificadores de potencia RF. Aplicaciones típicas: comunicaciones 5G / 6G, infraestructura inalámbrica, comunicaciones por satélite, radar, instrumentación RF.

VCSEL y diodos láser

Las obleas conductoras de GaAs se utilizan ampliamente como sustratos para estructuras optoelectrónicas III-V basadas en AlGaAs, InGaAs y materiales relacionados. Dispositivos típicos: VCSELs, diodos láser, LEDs infrarrojos, dispositivos de detección óptica

Fotovoltaica

El GaAs ofrece un alto rendimiento de conversión optoelectrónica y se utiliza en dispositivos fotovoltaicos de alta eficiencia. Aplicaciones típicas: Células solares espaciales Células solares de alta eficiencia Fotovoltaicas concentradas

LED y optoelectrónica

Los sustratos de GaAs soportan el crecimiento de estructuras epitaxiales III-V para dispositivos rojos, infrarrojos y otros dispositivos optoelectrónicos.

Preguntas frecuentes

Preguntas frecuentes sobre este producto

Respuestas rápidas sobre selección de materiales, personalización, pruebas y pedidos.

¿Cuál es la diferencia entre GaAs conductor y semiaislante?

El GaAs conductor se utiliza comúnmente cuando se requiere inyección eléctrica de corriente, como en dispositivos optoelectrónicos. El GaAs semiaislante proporciona una alta resistividad eléctrica y se utiliza ampliamente para dispositivos de RF y microondas.

¿Qué oblea GaAs es adecuada para aplicaciones RF?

Los GaAs semiaislantes dopados con C se seleccionan comúnmente para MMICs, HEMT, pHEMT, HBT y otros dispositivos de alta frecuencia.

¿Qué oblea de GaAs es adecuada para los VCSELs?

Las obleas conductoras de GaAs se utilizan comúnmente como sustratos para VCSEL y epitaxia de diodos láser, dependiendo del tipo exacto de conductividad según la estructura del dispositivo.

Productos relacionados

Consulta los materiales, diámetros y tipos de portadores adyacentes para encontrar el que mejor se adapte a tu programa.

Investigación técnica

Habla con los ingenieros sobre tus necesidades de obleas

Comparte tu material, dimensiones, especificaciones, fase de aplicación o proyecto. Nuestro equipo revisará tus necesidades y responderá en un plazo de un día laborable.