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La exportación de este producto está regulada por el Ministerio de Comercio de la RPC (MOFCOM). Debe obtenerse una licencia de exportación antes del envío.
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Los sustratos semiaislantes de GaAs se utilizan ampliamente en la fabricación de dispositivos de alta frecuencia, incluyendo MMICs, pHEMTs, HEMTs y HBTs. Son adecuados para interfaces RF, amplificadores de microondas, comunicaciones inalámbricas y aplicaciones relacionadas.
Los sustratos de GaAs se utilizan para el crecimiento epitaxial de estructuras optoelectrónicas III-V, incluyendo sistemas de dispositivos basados en AlGaAs e InGaAs. Las aplicaciones incluyen VCSELs, diodos láser, emisores infrarrojos y dispositivos de detección óptica.
GaAs es un material semiconductor III-V importante para dispositivos fotovoltaicos de alta eficiencia, incluyendo células solares espaciales y sistemas fotovoltaicos concentradores. Los requisitos del sustrato dependen de la arquitectura de la celda y del proceso de fabricación.
Los sustratos de GaAs apoyan el crecimiento de estructuras epitaxiales III-V para aplicaciones seleccionadas de LED y optoelectrónica, incluyendo emisores rojos e infrarrojos.
Respuestas rápidas sobre selección de materiales, personalización, pruebas y pedidos.
Las obleas de GaAs conductoras, incluidos materiales tipo N y tipo P, se utilizan en estructuras de dispositivos que requieren conductividad eléctrica específica. Las obleas de GaAs semiaislantes ofrecen una alta resistividad eléctrica y se utilizan comúnmente en la fabricación de dispositivos RF y de microondas. El tipo adecuado depende de la arquitectura del dispositivo y de los requisitos del proceso.
El GaAs semiaislante se considera comúnmente para MMICs, pHEMMs y otros dispositivos de RF o microondas. La resistividad requerida, la orientación del cristal, el acabado superficial y otros parámetros deben especificarse según el diseño del dispositivo.
Los sustratos de GaAs se utilizan ampliamente para el crecimiento epitaxial de estructuras de VCSEL y diodos láser. El tipo de conductividad requerido, la orientación, el acabado superficial y otras especificaciones dependen del diseño epitaxial y de la arquitectura del dispositivo.
Diámetros seleccionados de obleas incluyen 2", 3", 4" y 6". La orientación del cristal, el tipo de conductividad, la resistividad, el acabado superficial y otros parámetros están sujetos a la especificación del material disponible. Contacta con PWG para confirmar los requisitos de tu proyecto.
La oblea de fosfuro de indio (InP) es un semiconductor compuesto III-V de alta movilidad, de banda prohibida directa (1,34eV). Optimizado para RF de alta frecuencia (hasta THz), comunicaciones ópticas de 1,3–1,55μm y circuitos integrados fotónicos (PICs) de bajo ruido. Cuenta con acabados de superficie de baja EPD y preparados para epi.
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Power Wafertech Group suministra obleas de sustrato de arseniuro de indio (InAs) para detección infrarroja, electrónica de alta movilidad e investigación avanzada en semiconductores III-V. Las opciones disponibles incluyen InAs tipo N y tipo P, con diámetros seleccionados de obleas, orientaciones cristalinas y acabados superficiales para la fabricación de dispositivos y el crecimiento epitaxial.
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GaSb (antimonuro de galio) es el sustrato preferido para la epitaxia basada en antimoniuros. Con una constante de red de 6,096 Å para una excelente compatibilidad InAs/AlSb, se utiliza ampliamente para detectores IR superrrealidad Tipo II (T2SL) y láseres de infrarrojo medio. Disponible en tamaños de 2", 3" y 4" con acabados superficiales Epi-ready.
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InSb (antimoniuro de indio) está disponible para detectores infrarrojos MWIR y dispositivos magnetorresistivos. Existen opciones tipo N y tipo P con superficies preparadas para epinefrino para soportar requisitos específicos de fabricación de dispositivos y crecimiento epitaxial.
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