01
Comunicaciones Ópticas y Fotónica
Aplicaciones: láseres DFB, EMLs, fotodiodos PIN, APDs para comunicaciones de fibra óptica de 1,3–1,55 μm. Especificación recomendada: InP tipo N o semiaislante (dopado con fe).
Obleas compuestas III-V
Oblea InP
La oblea de fosfuro de indio (InP) es un semiconductor compuesto III-V de alta movilidad, de banda prohibida directa (1,34eV). Optimizado para RF de alta frecuencia (hasta THz), comunicaciones ópticas de 1,3–1,55μm y circuitos integrados fotónicos (PICs) de bajo ruido. Cuenta con acabados de superficie de baja EPD y preparados para epi.
- Tamaño — 2", 3", 4", 6”
- Orientación — (100), (111)
- Tipo de conducción — Tipo N (dopado en S), tipo P (dopado con Zn) y semiaislante (dopado en Fe)
- Acabado superficial — SSP o DSP, listo para epi-
- EPD — ≤ 500cm⁻²
- Embalaje — Casete de una sola oblea, sellado al vacío
Especificaciones detalladas
Especificaciones por tipo de oblea.
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Aviso de Control de Exportaciones
La exportación de este producto está regulada por el Ministerio de Comercio de la RPC (MOFCOM). Debe obtenerse una licencia de exportación antes del envío. Por favor, contacte con nuestro equipo de cumplimiento para más detalles.
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Aplicaciones
Donde esta oblea aporta valor
02
Electrónica de alta velocidad y RF
Aplicaciones: HBTs, HEMTs, MMICs HEMT, detectores y fuentes THz. Especificación recomendada: InP semiaislante para RF/MMIC; InP conductora para HBT/Hemt.
03
Circuitos Integrados Fotónicos (PICs)
Aplicaciones: Transceptores ópticos, interconexiones de centros de datos, comunicaciones coherentes. Especificación recomendada: Semiaislante o InP tipo N según la arquitectura del dispositivo.
Preguntas frecuentes
Preguntas frecuentes sobre este producto
Respuestas rápidas sobre selección de materiales, personalización, pruebas y pedidos.
El tipo N (dopado en S) y el tipo P (dopado con Zn) son sustratos conductores para dispositivos optoelectrónicos y electrónicos. El InP semiaislante (dopado con Fe) presenta una alta resistividad y es ideal para aplicaciones de RF, microondas y altas frecuencias.
Para láseres DFB de 1,3–1,55μm, EMLs y fotodetectores, recomendamos una oblea InP tipo N o semiaislante (dopada con Fe), dependiendo de la estructura epitaxial específica y el diseño del dispositivo.
El InP semiaislante (dopado con Fe) se selecciona principalmente para dispositivos RF, microondas y THz debido a su alta resistividad y excelente aislamiento eléctrico.
Sí. Apoyamos la creación de prototipos de investigación y desarrollo y pedidos en pequeños lotes. Se pueden ofrecer orientaciones personalizadas, especificaciones de dopaje y listas para epi.
Las obleas se envasan en casetes de una sola oblea sellados al vacío dentro de una sala limpia certificada por la ISO. Garantizamos la entrega Fab ready con envío puerta a puerta.
GaAs Wafer
El arseniuro de Galio (GaAs) combina una banda prohibida directa con una alta movilidad electrónica, lo que lo convierte en un material sustrato ampliamente utilizado para dispositivos de alta frecuencia y optoelectrónicos. Las obleas GaAs de PWG soportan MMICs, HEMTs, HBTs, VCSELs, diodos láser y celdas solares de alta eficiencia, disponibles en múltiples diámetros, orientaciones cristalinas y acabados superficiales preparados para Epi.
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Oblea InAs
Power Wafertech Group suministra obleas de sustrato de arseniuro de indio (InAs) para detección infrarroja, electrónica de alta movilidad e investigación avanzada en semiconductores III-V. Las opciones disponibles incluyen InAs tipo N y tipo P, con diámetros seleccionados de obleas, orientaciones cristalinas y acabados superficiales para la fabricación de dispositivos y el crecimiento epitaxial.
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GaSb Wafer
GaSb (antimonuro de galio) es el sustrato preferido para la epitaxia basada en antimoniuros. Con una constante de red de 6,096 Å para una excelente compatibilidad InAs/AlSb, se utiliza ampliamente para detectores IR superrrealidad Tipo II (T2SL) y láseres de infrarrojo medio. Disponible en tamaños de 2", 3" y 4" con acabados superficiales Epi-ready.
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Oblea InSb
InSb (antimoniuro de indio) está disponible para detectores infrarrojos MWIR y dispositivos magnetorresistivos. Existen opciones tipo N y tipo P con superficies preparadas para epinefrino para soportar requisitos específicos de fabricación de dispositivos y crecimiento epitaxial.
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