Obleas compuestas III-V

Oblea InP

El fosfuro de indio (InP) es un semiconductor compuesto III-V con una banda prohibida directa (1,34 eV a 300K) y una mayor movilidad electrónica que la GaAs. Ofrece un rendimiento superior en tres áreas clave: RF de alta frecuencia (hasta rango THz), optoelectrónica de longitud de onda larga (1,3–1,55μm) y circuitos integrados fotónicos de bajo ruido de fase.

Tamaño — Disponible en versiones 2", 3", 4" y 6"
Orientación — (100), (111)
Tipo de conducción — Tipo N (dopado en S), tipo P (dopado con Zn) y semiaislante (dopado en Fe)
Acabado superficial — SSP o DSP, listo para epi-
Embalaje — Casete de una sola oblea, sellado al vacío
Entrega — puerta a puerta, tiempo de entrega corto

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Especificaciones detalladas

Especificaciones publicadas por diámetro de la oblea.

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Parámetro	Sustrato InP de 2"/50,8 mm
Tipo de conducción	Tipo N
Dopante	S
Orientación	(100) / (111)
Conductividad	Tipo N
Grosor	350±25um
TTV
Arco
Warp
EPD	≤500cm⁻²
Acabado superficial	SSP / DSP, listo para epinefrina
Plano	Estándar SEMI
Embalaje	Casete de una sola oblea, sellado al vacío

Parámetro	Sustrato InP de 3" / 76,2 mm
Tipo de conducción	Tipo N
Dopante	S
Orientación	(100) / (111)
Conductividad	Tipo N
Grosor	600±25um
TTV
Arco
Warp
EPD	≤500cm⁻²
Acabado superficial	SSP / DSP, listo para epinefrina
Plano	Estándar SEMI
Embalaje	Casete de una sola oblea, sellado al vacío

Parámetro	Sustrato InP de 4" / 100mm
Tipo de conducción	Tipo N
Dopante	S
Orientación	(100) / (111)
Conductividad	Tipo N
Grosor	600±25um
TTV
Arco
Warp
EPD	≤500cm⁻²
Acabado superficial	SSP / DSP, listo para epinefrina
Plano	Estándar SEMI
Embalaje	Casete de una sola oblea, sellado al vacío

Parámetro	Sustrato InP de 6" / 150mm
Tipo de conducción	Tipo N
Dopante	S
Orientación	(100) / (111)
Conductividad	Tipo N
Grosor	675±25um
TTV
Arco	≤15um
Warp	≤15um
EPD	≤500cm⁻²
Acabado superficial	SSP / DSP, listo para epinefrina
Plano	Estándar SEMI
Embalaje	Casete de una sola oblea, sellado al vacío

Aplicaciones

Donde esta oblea aporta valor

Comunicaciones Ópticas y Fotónica

Las obleas InP se utilizan ampliamente para dispositivos optoelectrónicos de longitud de onda larga que operan alrededor de las ventanas de comunicación de fibra óptica de 1,3 μm y 1,55 μm. Dispositivos típicos: diodos láser DFB, láseres EML, fotodiodos PIN, APDs, circuitos integrados fotónicos, dispositivos AWG. Obleas recomendadas: InP tipo N / tipo P / Semiaislante, dependiendo de la estructura del dispositivo.

Electrónica de alta velocidad y RF

InP ofrece un alto rendimiento de transporte de electrones y se utiliza ampliamente para dispositivos electrónicos y RF de alta velocidad, incluyendo MMIC de alta frecuencia e investigación avanzada en semiconductores. Dispositivos típicos: HBTs HEMTs MMICs de alta frecuencia Multiplicadores de frecuencia Detectores de terahercios Dispositivos electrónicos de alta velocidad Obleas recomendadas: InP semiaislante para aplicaciones RF/MMIC; InP conductor para estructuras HBT y electrónicas seleccionadas.

Circuitos Integrados Fotónicos

InP es una plataforma importante para la fotónica integrada porque soporta tanto dispositivos ópticos activos como integración fotónica. Aplicaciones típicas: Transceptores ópticos Interconectaciones de centros de datos Comunicaciones coherentes Comunicaciones de fibra óptica Circuitos integrados fotónicos Módulos ópticos de alta velocidad Obleas recomendadas: Tipo N, tipo P o semiaislante según la epi y la arquitectura del dispositivo.

Preguntas frecuentes

Preguntas frecuentes sobre este producto

Respuestas rápidas sobre selección de materiales, personalización, pruebas y pedidos.

¿Cuál es la diferencia entre las obleas InP tipo N, tipo P y semiaislantes?

Las obleas InP tipo N y tipo P son sustratos conductores comúnmente utilizados en dispositivos optoelectrónicos y electrónicos. El InP semiaislante, típicamente dopado con Fe, es especialmente adecuado para aplicaciones de RF, microondas y altas frecuencias.

¿Qué oblea InP es adecuada para dispositivos de comunicación óptica?

El tipo de conductividad adecuado depende del dispositivo y de la estructura epitaxial. El InP tipo N, tipo P y semiaislante pueden usarse para diferentes arquitecturas de dispositivos de comunicación óptica.

¿Qué oblea InP se recomienda para aplicaciones RF y de alta frecuencia?

El InP dopado con Fe semiaislante se selecciona habitualmente para dispositivos RF, microondas y de alta frecuencia debido a su alta resistividad y aislamiento eléctrico.

¿Puedes suministrar obleas InP para proyectos de investigación y desarrollo y pequeños lotes?

Sí. Apoyamos los requisitos de investigación, prototipos y pequeños lotes, sujetos a las especificaciones y cantidad solicitadas de la oblea.

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