Obleas Epitaxiales Semiconductoras III-V

Oblea Epitaxial Semiconductora III-V

PWG ofrece soluciones epitaxiales basadas en sustratos InP, GaSb y GaAs, cubriendo heteroestructuras para HEMTs, pHEMTs, HBTs, diodos láser, fotodetectores, VCSELs, detectores infrarrojos y otros dispositivos III-V.

Sustrato — InP, GaSb y GaAs
Método de crecimiento — MOCVD y MBE
Especificaciones — Estándar, personalizado
Tipo de epinefrina — HEMT / PHEMT / HBT / LD / VCSEL / fotodetector / T2SL, etc.
Embalaje — Casete de una sola oblea, sellado al vacío

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Especificaciones detalladas

Especificaciones publicadas por diámetro de la oblea.

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Sistema de materiales	Estructura típica	Propiedades clave	Aplicaciones principales
InGaAs/InP	Detector de pinos/APD Canal HEMT	Alta movilidad electrónica Absorción en 1,3-1,55 μm	Receptores ópticos de alta velocidad, HEMTs de onda mmWave
InGaAsP/InP	Estructuras láser de pozo cuántico múltiple	Longitud de onda sintonizable con gap de banda directa	Láseres DFB, EMLs, moduladores de electroabsorción (EAM), amplificadores ópticos
InAlAs/InGaAs/InP	Heteroestructura 2DEG	Mejor ganancia, menor ruido, mayor eficiencia energética	HEMT y HBT de ultra alta velocidad

Sistema de materiales	Estructura típica	Propiedades clave	Aplicaciones principales
InAs/GaSb (superrreticulo Tipo-II)	Estructuras del detector IR T2SL	Cobertura espectral amplia (extensible >14μm)	Imágenes MWIR y LWIR de alto rendimiento
InGaAsSb/GaSb, AlGaAsSb/GaSb	Estructuras de láser de pozo cuántico	Banda prohibida directa, emisión infrarroja media	Láseres de infrarrojo medio para detección de gases
Estructuras termofotovoltaicas basadas en GaSb (TPV)	Estructura de PIN	Conversión de energía de alta eficiencia	Celdas TPV

Sistema de materiales	Estructura típica	Propiedades clave	Aplicaciones principales
AlGaAs/GaAs	Pozos cuánticos, heteroestructuras	Alta movilidad electrónica Banda prohibida directa	HEMTs RF 5G/6G, diodos láser de infrarrojo cercano (LDs)
InGaP/GaAs	Estructuras HBT	Alta tensión de ruptura Alta eficiencia	Amplificadores de potencia RF (HBT)
InGaAs/GaAs (Capa de deformación)	Estructuras pHEMT	Movilidad y velocidad electrónica muy altas	LNAs mmWave, conmutadores de alta velocidad
AlGaInP/GaAs	Múltiples estructuras de pozos cuánticos	Espectro directo de banda roja-amarillo	Diodos emisores de luz (LED) de alta luminosidad Rojo, Amarillo y Naranja
GaAs a baja temperatura (LT-GaAs)	Capa de GaAs cultivado a baja temperatura (LTG-GaAs)	Ultra alta resistividad Vida útil ultrarrápida del portador	Antenas fotoconductoras de terahercios, fotodetectores ultrarrápidos

Aplicaciones

Donde esta oblea aporta valor

InGaAs/InP

Receptores ópticos de alta velocidad, mmWave HEMTs | Estructura típica: Canal HEMT del detector PIN/APD | Propiedades clave: Alta movilidad electrónica Absorción a 1,3-1,55μm

InGaAsP/InP

Láseres DFB, EMLs, moduladores de electroabsorción (EAM), amplificadores ópticos | Estructura típica: Estructuras de láser de pozo cuántico múltiple | Propiedades clave: Longitud de onda sintonizable con gap de banda directa

InAlAs/InGaAs/InP

HEMTs y HBT ultra-rápidos | Estructura típica: heteroestructura 2DEG | Propiedades clave: Mejor ganancia, menor ruido, mayor eficiencia energética

InAs/GaSb (superrreticulo Tipo-II)

MWIR y LWIR Imaging de alto rendimiento | Estructura típica: Estructuras del detector IR T2SL | Propiedades clave: Cobertura espectral amplia (extensible >14μm)

InGaAsSb/GaSb, AlGaAsSb/GaSb

Láseres de infrarrojo medio para detección de gases | Estructura típica: Estructuras láser de pozo cuántico | Propiedades clave: banda prohibida directa, emisión infrarroja media

Estructuras termofotovoltaicas basadas en GaSb (TPV)

Celdas TPV | Estructura típica: Estructura PIN | Propiedades clave: Conversión energética de alta eficiencia

AlGaAs/GaAs

HEMTs RF 5G/6G, diodos láser de infrarrojo cercano (LDs) | Estructura típica: pozos cuánticos, heteroestructuras | Propiedades clave: Alta movilidad electrónica Banda prohibida directa

InGaP/GaAs

Amplificadores de potencia RF (HBT) | Estructura típica: HBT Structures | Propiedades clave: Alta tensión de ruptura Alta eficiencia

InGaAs/GaAs (Capa de deformación)

LNAs mmWave, conmutadores de alta velocidad | Estructura típica: pHEMT Structures | Propiedades clave: movilidad y velocidad electrónica muy altas

AlGaInP/GaAs

Diodos emisores de luz (LED) de alta luminosidad Rojo, Amarillo y Naranja | Estructura típica: Múltiples estructuras de pozos cuánticos | Propiedades clave: Espectro directo de banda roja-amarilla

GaAs a baja temperatura (LT-GaAs)

Antenas fotoconductoras de terahercios, fotodetectores ultrarrápidos | Estructura típica: Capa de GaAs cultivado a baja temperatura (LTG-GaAs) | Propiedades clave: Ultra alta resistividad Vida útil del portador ultrarrápido

Preguntas frecuentes

Preguntas frecuentes sobre este producto

Respuestas rápidas sobre selección de materiales, personalización, pruebas y pedidos.

¿Qué información se necesita para una cita de epiwafer?

Por favor, proporcione el material del sustrato, el diámetro de la oblea, la orientación del cristal, la estructura de la capa, el grosor de la capa, la composición, los requisitos de dopaje, la cantidad y el dispositivo objetivo.

¿Puedes desarrollar una estructura de epi basada en los requisitos de nuestro dispositivo?

Sí. Si no tienes una estructura de capa finalizada, nuestro equipo técnico puede discutir el dispositivo objetivo, la longitud de onda, la frecuencia o los requisitos de rendimiento y recomendar una estructura epitaxial adecuada.

¿Puedes proporcionar estructuras epitaxiales personalizadas?

Sí. Podemos personalizar la composición de las capas, grosor, dopaje, estructuras de pozo cuántico, capas de tampón, capas de capa y diseños de superred.

Investigación técnica

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