Obleas Epitaxiales Semiconductoras III-V

Oblea Epitaxial Semiconductora III-V

Heteroestructuras de precisión crecidas por MOCVD/MBE en sustratos InP, GaSb y GaAs. Diseñado para HEMTs, pHEMT, HBTs, diodos láser, VCSEL y detectores IR de alto rendimiento (HEMT), pHEMT, HBT, Soporte para estructuras de epinefrina personalizadas desde I&D hasta producción en volumen.

Sustrato — InP, GaSb, GaAs
Método de crecimiento — MOCVD, MBE
Tipo de epinefrina — HEMT, PHEMT, HBT, LD, VCSEL, Fotodetector, T2SL
Personalización — Grosor de capa, dopaje y pilas multicapa
Embalaje — Casete de una sola oblea, sellado al vacío

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Especificaciones detalladas

Especificaciones por tipo de oblea.

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Sistema de materiales	Estructura típica	Propiedades clave	Aplicaciones principales
InGaAs/InP	Detector de pinos/APD Canal HEMT	Alta movilidad electrónica Absorción a 1,3–1,55μm	Receptores ópticos de alta velocidad HEMTs mmWave
InGaAsP/InP	Estructuras láser de pozo cuántico múltiple	Banda prohibida directa Longitud de onda sintonizable	Láseres DFB, EMLs Moduladores de electroabsorción (EAM) Amplificadores ópticos
InAlAs/InGaAs/InP	Heteroestructura 2DEG	Mejor ganancia Menor ruido Mayor eficiencia energética	HEMTs y HBT de ultra alta velocidad
LT-InGaAs (InGaAs de baja temperatura)	Capa de InGaAs cultivada a baja temperatura	Resistividad ultra-alta Vida útil del portador ultrarrápido	Antenas fotoconductoras de terahercios Fotodetectores ultrarrápidos

Aviso de Control de Exportaciones

La exportación de este producto está regulada por el Ministerio de Comercio de la RPC (MOFCOM). Debe obtenerse una licencia de exportación antes del envío. Contacta con nuestro equipo de cumplimiento para más detalles.

Sistema de materiales	Estructura típica	Propiedades clave	Aplicaciones principales
InAs/GaSb (Superrestructura Tipo-II)	Estructuras del detector IR T2SL	Cobertura espectral amplia (extensible >14μm)	Imágenes MWIR y LWIR de alto rendimiento
InGaAsSb/GaSb AlGaAsSb/GaSb	Estructuras de láser de pozo cuántico	Banda prohibida directa Emisión infrarroja media	Láseres de infrarrojo medio paraDetección de gases
Estructuras termofotovoltaicas basadas en GaSb (TPV)	Estructura de PIN	Conversión de energía de alta eficiencia	Celdas TPV

Aviso de Control de Exportaciones

Sistema de materiales	Estructura típica	Propiedades clave	Aplicaciones principales
AlGaAs/GaAs	Pozos cuánticos, heteroestructuras	Alta movilidad electrónica Banda prohibida directa	HEMTs RF 5G/6G Diodos láser de infrarrojo cercano (LDs)
InGaP/GaAs	Estructuras HBT	Alta tensión de ruptura Alta eficiencia	Amplificadores de potencia RF (HBT)
InGaAs/GaAs (Capa de tensión)	Estructuras pHEMT	Movilidad y velocidad electrónica muy altas	LNAs mmWave Conmutadores de alta velocidad
AlGaInP/GaAs	Múltiples estructuras de pozos cuánticos	Banda prohibida directa Espectro rojo-amarillo	Alto brilloLEDs rojos, amarillos y naranjas
LT-GaAs (GaAs de baja temperatura)	Capa de GaAs cultivado a baja temperatura (LTG-GaAs)	Resistividad ultra-alta Vida útil del portador ultrarrápido	Antenas fotoconductoras de terahercios Fotodetectores ultrarrápidos

Aviso de Control de Exportaciones

Aplicaciones

Donde esta oblea aporta valor

Obleas Epitaxiales Basadas en InP

Las obleas epitaxiales InP están diseñadas para comunicaciones ópticas de alta velocidad y dispositivos RF, soportando comunicaciones ópticas de 1,3–1,55 μm, láseres DFB/EML, fotodetectores PIN/APD y aplicaciones mmWave HEMT/HBT.

Obleas de epi basadas en GaSb

Las obleas de epi GaSb están diseñadas para la detección e imagen de infrarrojos de onda media y larga (MWIR/LWIR). Con estructuras de superred tipo II (T2SL), permiten detectores T2SL de alto rendimiento y sistemas de detección de gases.

Obleas epitaxiales basadas en GaAs

Las obleas epitaxiales GaAs sirven a front-ends RF 5G/6G, láseres de infrarrojo cercano y LEDs de alto brillo. Las aplicaciones típicas incluyen dispositivos pHEMT/HBT 5G/6G, diodos láser VCSEL/infrarrojo cercano, LEDs rojos/amarillos y interruptores fotoconductores.

Preguntas frecuentes

Preguntas frecuentes sobre este producto

Respuestas rápidas sobre selección de materiales, personalización, pruebas y pedidos.

¿Qué información se necesita para una cita de epiwafer?

Por favor, proporcione el diámetro de la oblea, la orientación del cristal, la estructura de la capa, el grosor de la capa, los requisitos de dopaje, la cantidad y las aplicaciones del dispositivo objetivo.

¿Puedes desarrollar una estructura de epi basada en los requisitos de nuestro dispositivo?

Sí. Si no tienes una estructura de capas definitiva, nuestro equipo técnico discutirá tu dispositivo objetivo, longitud de onda, frecuencia o requisitos de rendimiento y recomendará una estructura epitaxial adecuada.

¿Puedes proporcionar estructuras epitaxiales personalizadas?

Sí. Admitimos la personalización total de la composición de capas, grosor, dopaje, estructuras de pozos cuánticos, capas de tampón, capas de capa y diseños de superretículo.

Investigación técnica

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