Obleas compuestas III-V

Oblea InAs

Power Wafertech Group suministra obleas de sustrato de arseniuro de indio (InAs) para detección infrarroja, electrónica de alta movilidad e investigación avanzada en semiconductores III-V. Las opciones disponibles incluyen InAs tipo N y tipo P, con diámetros seleccionados de obleas, orientaciones cristalinas y acabados superficiales para la fabricación de dispositivos y el crecimiento epitaxial.

Tamaño — 2", 3" y 4"
Orientación — (100), (111)
Tipo de conducción — Tipo N (dopado S / Sn) y tipo P (dopado con Zn)
Acabado superficial — SSP / DSP, listo para epinefrina
Embalaje — Casete de una o varias obleas, sellado al vacío

Comparte este producto:

Especificaciones detalladas

Especificaciones por tipo de oblea.

Select a wafer type to view detailed specs

Parámetro	Sustrato InAs de 2" (50,8 mm)
Tipo de conducción	Tipo N	Tipo P
Dopante	S / Sn	Zn
Orientación	(100) / (111)	(100) / (111)
Grosor	500±25um	500±25um
TTV
Arco
Warp
Movilidad electrónica	6.000–20.000 o ≥20.000 cm²/V·s	100–400 cm²/V·s
Concentración de portadores	5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁰ cm⁻³	(1–10) × 10¹⁵ cm⁻³
EPD	≤50.000 cm⁻²	≤30.000 cm⁻²
Acabado superficial	SSP / DSP, listo para epinefrina	SSP / DSP, listo para epinefrina
Plano	Estándar SEMI	Estándar SEMI
Embalaje	Casete de una sola oblea, sellado al vacío	Casete de una sola oblea, sellado al vacío

Parámetro	Sustrato InAs de 3" (76,2 mm)
Tipo de conducción	Tipo N	Tipo P
Dopante	S / Sn	Zn
Orientación	(100) / (111)	(100) / (111)
Grosor	600±25um	600±25um
TTV
Arco
Warp
Movilidad electrónica	6.000–20.000 o ≥20.000 cm²/V·s	100–400 cm²/V·s
Concentración de portadores	5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁰ cm⁻³	(1–10) × 10¹⁵ cm⁻³
EPD	≤50.000 cm⁻²	≤30.000 cm⁻²
Acabado superficial	SSP / DSP, listo para epinefrina	SSP / DSP, listo para epinefrina
Plano	Estándar SEMI	Estándar SEMI
Embalaje	Casete de una sola oblea, sellado al vacío	Casete de una sola oblea, sellado al vacío

Parámetro	Sustrato InAs de 4"" (100mm)
Tipo de conducción	Tipo N	Tipo P
Dopante	S / Sn	Zn
Orientación	(100) / (111)	(100) / (111)
Grosor	900±25um	900±25um
TTV
Arco
Warp
Movilidad electrónica	6.000–20.000 o ≥20.000 cm²/V·s	100–400 cm²/V·s
Concentración de portadores	5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁰ cm⁻³	(1–10) × 10¹⁵ cm⁻³
EPD	≤50.000 cm⁻²	≤30.000 cm⁻²
Acabado superficial	SSP / DSP, listo para epinefrina	SSP / DSP, listo para epinefrina
Plano	Estándar SEMI	Estándar SEMI
Embalaje	Casete de una sola oblea, sellado al vacío	Casete de una sola oblea, sellado al vacío

Aplicaciones

Donde esta oblea aporta valor

Detectores y sensores infrarrojos

InAs se utiliza en fotodetectores infrarrojos y estructuras de detección, incluyendo aplicaciones seleccionadas de detección de gases y espectroscopía. El tipo de conductividad del sustrato requerido, la concentración de portadores y la condición de la superficie dependen del diseño del detector y de la estructura del material. Aplicaciones típicas: fotodetectores infrarrojos, sensores IR, espectroscopía e investigación en detección de gases.

Electrónica de alta movilidad

La alta movilidad electrónica de los InAs los convierte en un material útil para estructuras electrónicas de alta movilidad y para la investigación avanzada de transistores. Sus propiedades eléctricas pueden apoyar el desarrollo de dispositivos de alta velocidad y heteroestructuras electrónicas especializadas. Aplicaciones típicas: transistores de alta movilidad, mediciones por efecto Hall, electrónica de alta velocidad e investigación en heteroestructuras III-V.

Epitaxia III-V

La oblea InAs proporciona una plataforma versátil para el crecimiento epitaxial de estructuras semiconductoras compuestas mediante MBE y MOCVD. Su estrecha banda prohibida directa (0,354 eV) y alta movilidad electrónica los hacen ideales para el crecimiento de heteroestructuras sensibles al infrarrojo, incluyendo superrredes InAs/GaSb Tipo-II, aleaciones InAsSb y estructuras confinadas cuánticamente. Las aplicaciones típicas incluyen el desarrollo de materiales epitaxiales para detectores MWIR/LWIR, transistores de alta velocidad e investigación avanzada en semiconductores III-V.

Preguntas frecuentes

Preguntas frecuentes sobre este producto

Respuestas rápidas sobre selección de materiales, personalización, pruebas y pedidos.

¿Para qué se usan las obleas InAs?

Las obleas de arseniuro de indio (InAs) se utilizan en detección infrarroja, dispositivos electrónicos de alta movilidad y en la investigación de semiconductores III-V. Las aplicaciones típicas incluyen fotodetectores infrarrojos, sensores Hall, estructuras de transistores de alta velocidad y desarrollo de materiales epitaxiales.

¿Qué oblea InAs es adecuada para el crecimiento epitaxial?

El sustrato InAs adecuado depende del sistema de material epitaxial, el proceso de crecimiento, la orientación del cristal, el estado de la superficie y la estructura del dispositivo. Especifica tus requisitos de crecimiento y los criterios de aceptación de la superficie al solicitar un presupuesto.

¿Qué oblea InAs es adecuada para dispositivos electrónicos de alta movilidad?

Los InAs tipo N se seleccionan comúnmente para aplicaciones que requieren alta movilidad electrónica.

¿Cómo solicito un presupuesto de oblea InAs?

Envía las especificaciones requeridas, la cantidad y la solicitud prevista a través del formulario de consulta técnica. También puedes adjuntar una hoja de especificaciones o un dibujo para ayudarnos a evaluar tus necesidades.

Investigación técnica

Habla con los ingenieros sobre tus necesidades de obleas

Comparte tu material, dimensiones, especificaciones, fase de aplicación o proyecto. Nuestro equipo revisará tus necesidades y responderá en un plazo de un día laborable.