Obleas compuestas III-V

Oblea InAs

Con una banda prohibida directa estrecha de aproximadamente 0,354 eV a 300 K y una movilidad electrónica excepcionalmente alta, InAs es muy adecuado para detectores infrarrojos, sensores Hall, transistores de alta velocidad y otros dispositivos de alta movilidad.

Tamaño — 2", 3" y 4"
Orientación — (100), (111)
Tipo de conducción — Tipo N (dopado S / Sn) y tipo P (dopado con Zn)
Acabado superficial — SSP / DSP, listo para epinefrina
Embalaje — Casete de una o varias obleas, sellado al vacío

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Especificaciones detalladas

Especificaciones publicadas por diámetro de la oblea.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

Parámetro	Sustrato InAs de 2" (50,8 mm)
Tipo de conducción	Tipo N
Dopante	S / Sn
Orientación	(100) / (111)
Grosor	500±25um
TTV
Arco
Warp
Movilidad electrónica	6.000–20.000 o ≥20.000 cm²/V·s
Concentración de portadores	5 × 10¹⁶–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤50.000 cm⁻²
Acabado superficial	SSP / DSP, listo para epinefrina

Parámetro	Sustrato InAs de 3" (76,2 mm)
Tipo de conducción	Tipo N
Dopante	S / Sn
Orientación	(100) / (111)
Grosor	600±25um
TTV
Arco
Warp
Movilidad electrónica	6.000–20.000 o ≥20.000 cm²/V·s
Concentración de portadores	5 × 10¹⁶–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤50.000 cm⁻²
Acabado superficial	SSP / DSP, listo para epinefrina
Plano	Estándar SEMI
Embalaje	Casete de una sola oblea, sellado al vacío

Parámetro	Sustrato InAs de 4"" (100mm)
Tipo de conducción	Tipo N
Dopante	S / Sn
Orientación	(100) / (111)
Grosor	900±25um
TTV
Arco
Warp
Movilidad electrónica	6.000–20.000 o ≥20.000 cm²/V·s
Concentración de portadores	5 × 10¹⁶–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤50.000 cm⁻²
Acabado superficial	SSP / DSP, listo para epinefrina
Plano	Estándar SEMI
Embalaje	Casete de una sola oblea, sellado al vacío

Aplicaciones

Donde esta oblea aporta valor

Detección infrarroja

La estrecha banda prohibida de los InAs la hace adecuada para la detección y detección infrarroja, especialmente en el rango de infrarrojo corto y medio. Dispositivos típicos: fotodetectores infrarrojos, sensores IR, sensores de gas, dispositivos de imagen térmica, detectores de espectroscopía. Sustratos recomendados: InAs tipo N o tipo P, dependiendo de la estructura del dispositivo.

Electrónica de alta movilidad

InAs ofrece una movilidad electrónica excepcionalmente alta y una masa efectiva electrónica baja, lo que lo convierte en un material atractivo para dispositivos electrónicos de alta velocidad y movilidad. Dispositivos típicos: transistores de alta movilidad Dispositivos de alta frecuencia Dispositivos electrónicos de bajo ruido Sensores Hall Estructuras electrónicas avanzadas III-V Sustrato recomendado: InAs tipo N para aplicaciones que requieren alta movilidad electrónica.

Investigación en infrarrojos y optoelectrónica

Los sustratos InAs se utilizan ampliamente como plataforma para la investigación avanzada de materiales y dispositivos III-V. Aplicaciones típicas: Optoelectrónica infrarroja Nanoestructuras semiconductoras Dispositivos cuánticos Desarrollo de materiales epitaxiales Fotodetectores avanzados

Preguntas frecuentes

Preguntas frecuentes sobre este producto

Respuestas rápidas sobre selección de materiales, personalización, pruebas y pedidos.

¿Por qué es InAs adecuado para dispositivos de alta movilidad?

InAs tiene una movilidad electrónica excepcionalmente alta y una masa electrónica efectiva baja, lo que lo hace atractivo para transistores de alta velocidad, sensores Hall y otros dispositivos electrónicos de alta movilidad.

¿Qué oblea InAs se recomienda para detectores infrarrojos?

Tanto los InA tipo N como tipo P pueden usarse para estructuras de detectores infrarrojos. El tipo de conductividad adecuado depende del dispositivo y del diseño epitaxial.

¿Qué oblea InAs es adecuada para dispositivos electrónicos de alta movilidad?

Los InAs tipo N se seleccionan comúnmente para aplicaciones que requieren alta movilidad electrónica.

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