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Sustratos InSb con EPD
Sustratos InSb con EPD
Sustratos InSb con EPD
Con una banda prohibida estrecha de aproximadamente 0,17 eV a 300 K, InSb es ideal para la detección de MWIR en el rango de 3–5 μm. Las aplicaciones típicas incluyen detectores infrarrojos refrigerados, matrices de planos focales (FPA), imagen térmica y detección de gases.
La oblea InSb combina alta movilidad electrónica con fuertes propiedades magnetorresistivas, lo que la hace adecuada para la detección magnética sensible. Las aplicaciones incluyen sensores de efecto Hall, detectores de campo magnético y dispositivos de detección de posición o corriente.
La estrecha banda prohibida de InSb y su excepcionalmente alta movilidad electrónica lo hacen atractivo para la investigación avanzada en semiconductores. Las aplicaciones incluyen transistores de alta movilidad, electrónica criogénica y desarrollo de dispositivos III–V a baja temperatura.
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InSb se utiliza ampliamente para la detección de MWIR en la ventana atmosférica de aproximadamente 3–5 μm, especialmente en sistemas de detectores infrarrojos refrigerados.
Se pueden usar tanto InSb tipo N como tipo P, dependiendo de la arquitectura del detector y los requisitos epitaxiales o del dispositivo.
El InSb tipo N se selecciona habitualmente para sensores Hall y otros dispositivos de detección magnética de alta movilidad debido a su excepcional movilidad electrónica.
La oblea de fosfuro de indio (InP) es un semiconductor compuesto III-V de alta movilidad, de banda prohibida directa (1,34eV). Optimizado para RF de alta frecuencia (hasta THz), comunicaciones ópticas de 1,3–1,55μm y circuitos integrados fotónicos (PICs) de bajo ruido. Cuenta con acabados de superficie de baja EPD y preparados para epi.
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El arseniuro de Galio (GaAs) combina una banda prohibida directa con una alta movilidad electrónica, lo que lo convierte en un material sustrato ampliamente utilizado para dispositivos de alta frecuencia y optoelectrónicos. Las obleas GaAs de PWG soportan MMICs, HEMTs, HBTs, VCSELs, diodos láser y celdas solares de alta eficiencia, disponibles en múltiples diámetros, orientaciones cristalinas y acabados superficiales preparados para Epi.
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Power Wafertech Group suministra obleas de sustrato de arseniuro de indio (InAs) para detección infrarroja, electrónica de alta movilidad e investigación avanzada en semiconductores III-V. Las opciones disponibles incluyen InAs tipo N y tipo P, con diámetros seleccionados de obleas, orientaciones cristalinas y acabados superficiales para la fabricación de dispositivos y el crecimiento epitaxial.
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GaSb (antimonuro de galio) es el sustrato preferido para la epitaxia basada en antimoniuros. Con una constante de red de 6,096 Å para una excelente compatibilidad InAs/AlSb, se utiliza ampliamente para detectores IR superrrealidad Tipo II (T2SL) y láseres de infrarrojo medio. Disponible en tamaños de 2", 3" y 4" con acabados superficiales Epi-ready.
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