Oblea InSb | Grupo Power Wafertech

Obleas compuestas III-V

Oblea InSb

Con una banda de banda directa ultraestrecha de aproximadamente 0,17 eV a 300 K y una movilidad electrónica excepcionalmente alta, InSb es especialmente adecuado para la detección infrarroja de longitud de onda media (MWIR) en el rango de 3–5 μm. PWG suministra obleas de antimonuro de indio tipo N y tipo P (InSb) para detección infrarroja de alta sensibilidad, detección magnética y electrónica criogénica.
  • Tamaño 2" y 3"
  • Orientación (100), (111)
  • Tipo de conducción Tipo N (dopado con Te) y tipo P (dopado con Ge)
  • Acabado superficial SSP o DSP, listo para epi-
  • Embalaje Casete de una sola oblea, sellado al vacío
Especificaciones detalladas

Especificaciones publicadas por diámetro de la oblea.

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ParámetroSustrato InSb de 2" (50,8 mm)
Tipo de conducciónTipo N
DopanteTe
Orientación(100) / (111)
Grosor625±25um
Concentración de portadores2.5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD≤100 cm⁻²
Acabado superficialSSP / DSP, listo para epinefrina
PlanoEstándar SEMI
EmbalajeCasete de una sola oblea, sellado al vacío
Aplicaciones

Donde esta oblea aporta valor

01

Detección infrarroja MWIR

InSb es especialmente adecuado para la detección infrarroja a longitud de onda media alrededor de 3–5 μm, lo que lo convierte en una plataforma material consolidada para detectores infrarrojos refrigerados de alta sensibilidad. Dispositivos típicos: Fotodetectores MWIR Matrices de planos focales infrarrojos (FPA) Detectores de imagen infrarroja Sensores de detección de gases Detectores de espectroscopía Aplicaciones típicas: Imagen térmica Vigilancia infrarroja Análisis de gases Monitoreo industrial Instrumentación científica Sustrato recomendado: Tipo N o tipo P InSb según la estructura del detector.

02

Sensores magnéticos

La alta movilidad electrónica y la fuerte respuesta magnetorresistiva de InSb la hacen adecuada para dispositivos sensibles de detección magnética. Dispositivos típicos: Sensores Hall Sensores magnetorresistivos Detectores de campo magnético Sustratos recomendados: El InSb tipo N es comúnmente preferido para aplicaciones de alta movilidad en Hall y detección magnética.

03

Electrónica criogénica y de alta movilidad

La alta movilidad electrónica de InSb y su estrecha banda prohibida lo hacen útil para la investigación electrónica avanzada, especialmente en condiciones de funcionamiento a baja temperatura. Aplicaciones típicas: Electrónica criogénica Investigación de transistores de alta movilidad Dispositivos semiconductores de baja temperatura Investigación electrónica avanzada III-V

Preguntas frecuentes

Preguntas frecuentes sobre este producto

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InSb se utiliza ampliamente para la detección de MWIR en la ventana atmosférica de aproximadamente 3–5 μm, especialmente en sistemas de detectores infrarrojos refrigerados.

Se pueden usar tanto InSb tipo N como tipo P, dependiendo de la arquitectura del detector y los requisitos epitaxiales o del dispositivo.

El InSb tipo N se selecciona comúnmente para sensores Hall y otros dispositivos de detección magnética de alta movilidad.

Investigación técnica

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