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La exportación de este producto está regulada por el Ministerio de Comercio de la RPC (MOFCOM). Debe obtenerse una licencia de exportación antes del envío.
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GaSb proporciona una plataforma adaptada en red para superredes InAs/GaSb Tipo-II (T2SL), permitiendo la ingeniería de banda prohibida a lo largo de un amplio espectro infrarrojo. Dispositivos típicos: detectores T2SL, detectores MWIR/LWIR/VLWIR, matrices de planos focales infrarrojos (FPA). Aplicaciones: Imagen térmica, detección de gases, espectroscopía, defensa y aeroespacial.
Sustrato esencial para láseres de infrarrojo medio basados en antimoniro y estructuras fotónicas. Dispositivos típicos: diodos láser de infrarrojo medio, LEDs infrarrojos, dispositivos fotónicos basados en antimoniro, estructuras de pozos cuánticos y superrrede. Aplicaciones: detección de gases, monitorización ambiental, diagnóstico médico, espectroscopía molecular.
La estrecha banda prohibida de GaSb la hace ideal para células TPV que convierten radiación térmica en energía eléctrica. Aplicaciones: Recuperación de calor residual, captación de energía industrial, conversión térmica a eléctrica, sistemas de energía por radioisótopos.
Respuestas rápidas sobre selección de materiales, personalización, pruebas y pedidos.
GaSb proporciona una plataforma perfectamente adaptada en red para InAs/GaSb y estructuras superrestructurales de tipo II relacionadas. Esto permite un crecimiento epiaxial libre de deformación y una ingeniería precisa de banda prohibida para la detección infrarroja a lo largo de los rangos espectrales MWIR, LWIR y VLWIR.
Tanto los sustratos de GaSb tipo N como tipo P pueden utilizarse para detectores T2SL. El GaSb tipo N se selecciona normalmente cuando se requiere un sustrato conductor eléctricamente para la fabricación del dispositivo. El GaSb tipo P se utiliza a menudo para arquitecturas específicas de detectores.
Sí. PWG es amigable con la investigación y desarrollo para prototipos. Apoyamos la personalización rápida de orientaciones, dopajes y tamaños para adaptarlos a los requisitos de tu dispositivo.
La oblea de fosfuro de indio (InP) es un semiconductor compuesto III-V de alta movilidad, de banda prohibida directa (1,34eV). Optimizado para RF de alta frecuencia (hasta THz), comunicaciones ópticas de 1,3–1,55μm y circuitos integrados fotónicos (PICs) de bajo ruido. Cuenta con acabados de superficie de baja EPD y preparados para epi.
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El arseniuro de Galio (GaAs) combina una banda prohibida directa con una alta movilidad electrónica, lo que lo convierte en un material sustrato ampliamente utilizado para dispositivos de alta frecuencia y optoelectrónicos. Las obleas GaAs de PWG soportan MMICs, HEMTs, HBTs, VCSELs, diodos láser y celdas solares de alta eficiencia, disponibles en múltiples diámetros, orientaciones cristalinas y acabados superficiales preparados para Epi.
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Power Wafertech Group suministra obleas de sustrato de arseniuro de indio (InAs) para detección infrarroja, electrónica de alta movilidad e investigación avanzada en semiconductores III-V. Las opciones disponibles incluyen InAs tipo N y tipo P, con diámetros seleccionados de obleas, orientaciones cristalinas y acabados superficiales para la fabricación de dispositivos y el crecimiento epitaxial.
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InSb (antimoniuro de indio) está disponible para detectores infrarrojos MWIR y dispositivos magnetorresistivos. Existen opciones tipo N y tipo P con superficies preparadas para epinefrino para soportar requisitos específicos de fabricación de dispositivos y crecimiento epitaxial.
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