Obleas compuestas III-V

GaSb Wafer

Con una constante de red de aproximadamente 6,096 Å, GaSb (antimoniuro de galio) proporciona una excelente compatibilidad de red con materiales basados en antimoniuros como InAs, AlSb e InAsSb, lo que lo convierte en una plataforma de sustrato importante para detectores infrarrojos de superrrealidad tipo II (T2SL), láseres de infrarrojo medio y dispositivos optoelectrónicos avanzados. Las obleas GaSb están disponibles en múltiples diámetros, orientaciones cristalinas y acabados superficiales para crecimiento epitaxial y fabricación de dispositivos.

Tamaño — 2", 3" y 4"
Orientación — (100), (111)
Tipo de conducción — Tipo N (dopado con Te) y tipo P (dopado con Zn)
Acabado superficial — SSP o DSP, listo para epi-
Embalaje — Casete de una sola oblea, sellado al vacío

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Especificaciones detalladas

Especificaciones publicadas por diámetro de la oblea.

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Parámetro	Sustrato GaSb de 2" (50,8 mm)
Tipo de conducción	Tipo N
Dopante	Te
Orientación	(100) / (111)
Grosor	500±25um
TTV
Arco
Warp
Movilidad	2.000–3.500 cm²/V·s
Concentración de portadores	(1–20) × 10¹⁷ cm⁻³
EPD	≤2.000 cm⁻²
Acabado superficial	SSP / DSP, listo para epinefrina
Plano	Estándar SEMI
Embalaje	Casete de una sola oblea, sellado al vacío

Parámetro	Sustrato GaSb de 3" (76,2 mm)
Tipo de conducción	Tipo N
Dopante	Te
Orientación	(100) / (111)
Grosor	600±25um
TTV
Arco
Warp
Movilidad	2.000–3.500 cm²/V·s
Concentración de portadores	(1–20) × 10¹⁷ cm⁻³
EPD	≤2.000 cm⁻²
Acabado superficial	SSP / DSP, listo para epinefrina
Plano	Estándar SEMI
Embalaje	Casete de una sola oblea, sellado al vacío

Parámetro	Sustrato de GaSb de 4"(100mm)
Tipo de conducción	Tipo N
Dopante	Te
Orientación	(100) / (111)
Grosor	800±25um
TTV
Arco
Warp
Movilidad	2.000–3.500 cm²/V·s
Concentración de portadores	(1–20) × 10¹⁷ cm⁻³
EPD	≤2.000 cm⁻²
Acabado superficial	SSP / DSP, listo para epinefrina
Plano	Estándar SEMI
Embalaje	Casete de una sola oblea, sellado al vacío

Aplicaciones

Donde esta oblea aporta valor

Detectores infrarrojos superrestructurales tipo II

GaSb proporciona una plataforma de red adecuada para estructuras de superrrealidad InAs/GaSb y relacionadas de Tipo II, permitiendo la ingeniería de banda prohibida a lo largo de un amplio rango de longitudes de onda infrarrojas. Dispositivos típicos: Detectores de superred tipo II (T2SL), detectores de infrarrojos MWIR, detectores LWIR / VLWIR, matrices de planos focales infrarrojos (FPA) Aplicaciones típicas: Imagen térmica, detección infrarroja, detección de gases, espectroscopía, defensa e imagen aeroespacial. Sustratos recomendados: GaSb tipo N o tipo P según la estructura epitaxial y del dispositivo.

Láseres y fotónica en infrarrojo medio

GaSb es un material sustrato importante para láseres de infrarrojo medio basados en antimoniuros y estructuras optoelectrónicas. Dispositivos típicos: diodos láser de infrarrojo medio, LEDs IR, dispositivos fotónicos basados en antimoniuros, estructuras de pozos cuánticos y superrestructuras. Aplicaciones típicas: detección de gases, monitorización ambiental, diagnóstico médico, espectroscopía molecular. Sustrato recomendado: El GaSb tipo N se selecciona comúnmente cuando se requiere un sustrato eléctricamente conductor para la fabricación del dispositivo.

Aplicaciones termofotovoltaicas

La banda prohibida relativamente estrecha de GaSb la hace adecuada para celdas termofotovoltaicas (TPV) diseñadas para convertir radiación térmica en energía eléctrica. Aplicaciones típicas: Recuperación de calor residual, captación industrial de energía, conversión térmica a eléctrica, sistemas de potencia radioisótopica. Sustrato recomendado: GaSb tipo P para estructuras seleccionadas de dispositivos fotovoltaicos.

Preguntas frecuentes

Preguntas frecuentes sobre este producto

Respuestas rápidas sobre selección de materiales, personalización, pruebas y pedidos.

¿Por qué se utiliza GaSb para detectores de superred tipo II?

GaSb proporciona una plataforma de red adecuada para estructuras de superred InAs/GaSb y similares, permitiendo la ingeniería de banda prohibida infrarroja mediante el diseño de heteroestructuras.

¿Qué oblea GaSb es adecuada para detectores infrarrojos T2SL?

Se pueden usar tanto GaSb tipo N como tipo P. El tipo de conductividad adecuado depende de la epitaxial y la arquitectura del dispositivo específica del T2SL.

Investigación técnica

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