Proveedor de obleas y epitaxia de semiconductores compuestos | Grupo Power Wafertech

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Obleas Epitaxiales Semiconductoras III-V

Oblea Epitaxial Semiconductora III-V

Heteroestructuras de precisión crecidas por MOCVD/MBE en sustratos InP, GaSb y GaAs. Diseñado para HEMTs, pHEMT, HBTs, diodos láser, VCSEL y detectores IR de alto rendimiento (HEMT), pHEMT, HBT, Soporte para estructuras de epinefrina personalizadas desde I&D hasta producción en volumen.

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Obleas SiC

Sustrato SiC

Obleas de sustrato SiC para aplicaciones de potencia, RF, optoelectrónicas y semiconductores avanzados. Disponible en 4H-SiC, 6H-SiC y 3C-SiC, con opciones tipo N, tipo P y semiaislantes, múltiples tamaños de obleas, niveles de dopaje y acabados superficiales.
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Obleas SiC

Epitaxia SiC

Nuestras obleas epitaxiales de SiC – cultivadas por CVD sobre sustratos de SiC – proporcionan una uniformidad bien controlada y baja densidad de defectos, formando una plataforma fiable para SBD, MOSFET, JFET, IGBT, GTO, BJT, entre otros, desde 600V hasta 10kV.
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Plantilla AlN

AlN sobre plantilla de silicio

AlN en plantillas de silicio proporcionan una interfaz y una plataforma de buffer de alta calidad para la epitaxia GaN posterior, apoyando el desarrollo de dispositivos de potencia GaN y RF de alto rendimiento.
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Plantilla AlN

AlN sobre la plantilla de zafiro

Las plantillas de AlN basadas en zafiro están disponibles en múltiples tamaños de obleas y grosores y orientaciones personalizables de AlN; las plantillas de AlN sobre zafiro con alta calidad cristalina y baja densidad de defectos son adecuadas tanto para la investigación y desarrollo como para el desarrollo de dispositivos.
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TRES FAMILIAS DE MATERIALES PRINCIPALES

Hoja de ruta de materiales diseñados para tu dispositivo

Explora sustratos y obleas de epi por familia de materiales. Configuraciones estándar y especificaciones personalizadas disponibles para I&D y producción en volumen.

APLICACIONES & INDUSTRIAS

Aplicaciones e industrias

CASO 01 / SISTEMAS DE ALTA TENSIÓN

Electrónica de potencia

Soluciones de obleas de banda larga diseñadas para arquitecturas de 800V+. Garantizar una conversión de potencia de alta eficiencia, conmutación rápida y un funcionamiento fiable a altas temperaturas.

ENFOQUE DE LA APLICACIÓN

Trenes motrices eléctricos · Carga rápida · Accionamientos de motores industriales

PRODUCTOS RECOMENDADOS

4H-SiC GaN

PROCESO DE COMPROMISO

Cómo avanza una consulta personalizada

Envía los requisitos específicos de tu programa y nuestros ingenieros los llevarán desde la evaluación hasta un presupuesto confirmado.

INGENIERÍA PERSONALIZADA

Parámetros más allá de la lista estándar

Diámetro y grosor personalizados
Orientación y desmontaje
Dopaje y resistividad
Películas finas y pilas de capas
Perfil de superficie y aristas
Marcado y embalaje
01Requisitos para enviar
02Revisión de ingeniería
03Alineación de especificaciones
04Presupuesto y plazo de entrega
Habla con un ingeniero

INVESTIGACIÓN TÉCNICA

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Comparte tu material, dimensiones, especificaciones, fase de aplicación o proyecto. Nuestro equipo revisará tus necesidades y responderá en un plazo de un día laborable.

Respuesta liderada por la ingeniería

Las consultas se dirigen al equipo técnico o comercial correspondiente.

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