Obleas Epitaxiales Semiconductoras III-V
Oblea Epitaxial Semiconductora III-V
Heteroestructuras de precisión crecidas por MOCVD/MBE en sustratos InP, GaSb y GaAs. Diseñado para HEMTs, pHEMT, HBTs, diodos láser, VCSEL y detectores IR de alto rendimiento (HEMT), pHEMT, HBT, Soporte para estructuras de epinefrina personalizadas desde I&D hasta producción en volumen.