La plantilla de GaN de PWG se refiere a capas epitaxiales de GaN de alta calidad crecidas sobre sustratos de zafiro, silicio o SiC. Proporcionando una plataforma rentable y lista para la epinefrisación posterior de GaN y la fabricación avanzada de dispositivos.

Las obleas epitaxiales LED GaN de PWG son heteroestructuras AlGaN/InGaN crecidas con MOCVD diseñadas para LEDs UV, azules y verdes de alta eficiencia. Con estructuras precisas de pozo multicuántico (MQW), estas obleas de epi ofrecen una alta eficiencia cuántica interna (IQE), emisión uniforme y una fiabilidad superior del dispositivo.

Estructuras HEMT de AlGaN/GaN de precisión para conmutación de RF de alta frecuencia y alta potencia. Cuenta con buffers de bajo defectos y canales 2DEG de alta densidad para un rendimiento superior del dispositivo.